sin蝕刻
蝕刻均勻性是測量製程的重複性，包括晶圓. 內(Within-wafer ,WIW) 及晶圓間(Wafer-to- wafer, WTW)的均勻性. • 測量晶圓上特定點在蝕刻製程前後的厚度. • 測量位置 ... ,蝕刻(Etching). ▫. 表面物質去除化的製程: 化學蝕刻、物理蝕刻、複合蝕刻. ▫. 選擇性蝕刻或整面全區蝕刻. ▫. 選擇性蝕刻將IC光阻上的設計圖形轉移至晶圓表面層. ▫.
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Chap9 蝕刻(Etching)
利用薄膜和特定溶液間所進行的. 化學反應，來去除未被光阻覆蓋. 的薄膜. ◇ 優點：製程簡單、產量速度快、. 屬等向性蝕刻. ◇ 濕式蝕刻的化學反應屬於液相及. 固相的 ... http://waoffice.ee.kuas.edu.tw Chapter 9 蝕刻
蝕刻均勻性是測量製程的重複性，包括晶圓. 內(Within-wafer ,WIW) 及晶圓間(Wafer-to- wafer, WTW)的均勻性. • 測量晶圓上特定點在蝕刻製程前後的厚度. • 測量位置 ... http://www.isu.edu.tw Etching
蝕刻(Etching). ▫. 表面物質去除化的製程: 化學蝕刻、物理蝕刻、複合蝕刻. ▫. 選擇性蝕刻或整面全區蝕刻. ▫. 選擇性蝕刻將IC光阻上的設計圖形轉移至晶圓表面層. ▫. http://homepage.ntu.edu.tw III-V及金屬材料蝕刻系統 - 微奈米科技研究中心
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