koh蝕刻
由 JS Wang 著作 · 2007 — 傳統上，利用氫氧化鉀(KOH). 於矽晶片上產生非等向性蝕刻，以製作金字塔抗反射結構。由於，. 反應進行時會於矽晶片表面釋放出氫氣，所以通常會於溶液中加入. 異 ... ,被蝕刻掉，而造成尺寸. 誤差。 SiO2 hard mask. Photolithography. ICP RIE (Dry etch). BOE wet etching. KOH wet etching. SiO2 passivation. 基板採用Si(100)基板 ...
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 koh蝕刻 相關參考資料
1.緒論
由 林廷政 著作 · 2003 — 以蝕刻矽的溶液來說，最常使用的應該就是KOH。而KOH和TMAH. 對矽基材所進行的蝕刻都是一種非等向性蝕刻。不同的濃度，不同的溫度，. 對不同的方向具有 ... https://ir.nctu.edu.tw Fabrication of pyramid textures as anti-reflection layer on ...
由 JS Wang 著作 · 2007 — 傳統上，利用氫氧化鉀(KOH). 於矽晶片上產生非等向性蝕刻，以製作金字塔抗反射結構。由於，. 反應進行時會於矽晶片表面釋放出氫氣，所以通常會於溶液中加入. 異 ... https://etd.lis.nsysu.edu.tw PowerPoint 簡報 - 台大機械系
被蝕刻掉，而造成尺寸. 誤差。 SiO2 hard mask. Photolithography. ICP RIE (Dry etch). BOE wet etching. KOH wet etching. SiO2 passivation. 基板採用Si(100)基板 ... http://www.me.ntu.edu.tw 中華大學碩士論文
對於KOH 溶液在不同的溫度、. 時間下會有不同的蝕刻速率等製程參數進行研究，並成功製作出面. 積為20 X 20μm的金字塔結構，另外在基材上鍍上二氧化矽和氮化. http://chur.chu.edu.tw 乾蝕刻 - 台大機械系
利用KOH對矽不同晶向具有不同蝕刻率的特性，我們可以製作出3D結構基板，並探討KOH蝕刻不同晶向矽所得到結構進行討論出並得到理想結構。 第三章主要介紹 ... http://www.me.ntu.edu.tw 國立中山大學光電工程研究所碩士論文
傳統上，利用氫氧化鉀(KOH). 於矽晶片上產生非等向性蝕刻，以製作金字塔抗反射結構。由於，. 反應進行時會於矽晶片表面釋放出氫氣，所以通常會於溶液中加入. 異 ... http://ir.lib.nsysu.edu.tw 攪拌方式與蝕刻幾何特徵對KOH 矽蝕刻蝕刻速率及表面粗糙度 ...
非等向性蝕刻常被用來作為微系統的結. 構製作，在矽晶圓（Silicon Wafer）上製作出三次元. 的微結構，如島塊（Mesa）、懸樑（Cantilever Beam）、. 薄膜（ ... http://www2.nkfust.edu.tw 晶格方向 - 國立高雄科技大學第一校區 - 國立高雄第一科技大學
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[100]. [111]. SiO2 或Si3N4. <100>矽晶片. SiO2. 或Si3N4. 矽晶圓. 非等向性溼式蝕刻. 蝕刻液. 鹼性溶液： KOH 、NaOH 等. 有機溶液： EDP、N2H4 、TMAH等 ... http://mems.mt.ntnu.edu.tw 蝕刻速率 - 台大機械系
使用hard mask 避免在濕蝕刻時，將所要保留的圖形被蝕刻掉，而造成尺寸誤差。 SiO2 hard mask. Photolithography. ICP RIE (Dry etch). BOE wet etching. KOH wet ... http://www.me.ntu.edu.tw |