電漿電位
增加射頻功率，則電漿電位增加，直流偏壓. 也增加. ‧離子密度與離子轟擊能量均可由射頻功率控. 制. ‧射頻功率是控制離子轟擊最主要的樞紐. ‧商業用途之射頻是13.56MHz ... ,用到電漿，在製程中利用離子轟擊金屬靶的表面，使之濺鍍沉積在晶. 圓表面上。遙控電漿（Remote Plasma）系統被 ... 電位會加速離子朝向電極移動，而造成離子轟擊（ Ion.
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 電漿電位 相關參考資料
Ch7 Plasma
在大部分的電漿製程反應室. 中，游離率都低於0.001% ... 需要外界的能量- 射頻（RF）電漿源是半導 ... 巨體電漿. 鞘層電位. 電極. 離子轟擊(Ion Bombardment). http://homepage.ntu.edu.tw Chapter 7 電漿的基礎原理
增加射頻功率，則電漿電位增加，直流偏壓. 也增加. ‧離子密度與離子轟擊能量均可由射頻功率控. 制. ‧射頻功率是控制離子轟擊最主要的樞紐. ‧商業用途之射頻是13.56MHz ... https://pdf4pro.com 第一章、緒論
用到電漿，在製程中利用離子轟擊金屬靶的表面，使之濺鍍沉積在晶. 圓表面上。遙控電漿（Remote Plasma）系統被 ... 電位會加速離子朝向電極移動，而造成離子轟擊（ Ion. http://ir.lib.ksu.edu.tw 第二章文獻回顧
由 林兆焄 著作 · 2005 — 電漿的定義是一團氣體原子或分子，其中包含自由電子、氣體離子、 ... 中所示為接地電位）具有正電位，稱為電漿電位（plasma potential），Vp。 https://ir.nctu.edu.tw 第五章電漿基礎原理
電漿是由中性原子或分子、電子(-）和正電離 ... 在大部分的電漿製程反應室中，游離率 ... 電漿電位. 18. CVD反應室電漿的直流偏壓. Vp = 10 − 20 V. 射頻熱電極. http://homepage.ntu.edu.tw 自我補償式蘭牟爾探針之製作與量測 - 龍華科技大學
探針在射頻電漿（RF plasma）系統中量測時，會受到射頻的干擾影響，而導致電流電壓. 特性曲線會有所誤差。 ... 空間電位(Vs)，並由空間電位前取一斜. https://www.lhu.edu.tw 行政院國家科學委員會專題研究計畫期中進度報告 - 國立成功 ...
由 廖峻德 著作 · 2005 — 且其正負. 電荷粒子數目相等，包含中性粒子和帶電粒子的電漿為一準中性氣體，陽離子. 稍多，故電漿電位呈較小之正值，這些帶電粒子藉長距離庫倫靜電力(Long ... http://ir.lib.ncku.edu.tw 電漿基礎實驗
電漿的定義是一團帶電荷的氣体分子，並且其中的正電荷（通常為正離子）和負電荷 ... ionization)、電漿電位(Plasma potential)是吾人所關切的。 http://en.fcu.edu.tw 電漿源原理與應用之介紹
由 李安平 著作 — 度、電漿電位，以及以RF 阻抗計量測在基板的RF. 電壓和電流，而獲得知離子能量、電流與電漿鞘電場。 並進一步探討基板表面的電場強度、電漿中的粒子種. http://psroc.phys.ntu.edu.tw 電漿製程技術
電漿電位V p. 受到電子及離子的影響, 其值可由解Poisson's equation 獲得： ρ為電漿之總電荷密度，. ▫ Debye shielding effect describes the tendency of the ... http://www.mse.nchu.edu.tw |