電漿蝕刻氣體
離子蝕刻兼具物理與化學的特性，係適當的選擇與薄膜進行反應(蝕. 刻) 之氣體，通入反應室中並解離成電漿，並施與一偏壓，讓離子轟擊與. 電漿蝕刻同時進行，所以具有某種 ... ,(一)矽基材質的蝕刻，製程氣體是以氟離子電漿(Fluoride-based)為基礎，包含二氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiN)與多晶矽(Poly-Si)等材料蝕刻，對於W及Carbon亦有優異的蝕刻能力；.
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離子蝕刻兼具物理與化學的特性，係適當的選擇與薄膜進行反應(蝕. 刻) 之氣體，通入反應室中並解離成電漿，並施與一偏壓，讓離子轟擊與. 電漿蝕刻同時進行，所以具有某種 ... http://mems.mt.ntnu.edu.tw 反應式離子蝕刻機／Reactive Ion Etching
(一)矽基材質的蝕刻，製程氣體是以氟離子電漿(Fluoride-based)為基礎，包含二氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiN)與多晶矽(Poly-Si)等材料蝕刻，對於W及Carbon亦有優異的蝕刻能力；. https://ctrmost.web2.ncku.edu. 奇妙的電漿與電漿的應用 - 國家實驗研究院
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https://www.appliedmaterials.c 電漿源原理與應用之介紹
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