離子轟擊
電荷的離子氣體. •. 電漿是由中性原子或分子、負. 電（電子）和正電（離子）所. 構成. • 在大部分的電漿製程反應室 ... 離子轟擊(Ion Bombardment). ,正電的離子. • 鞘層電位加速離子朝向電極移動，造成離子. 轟擊. Page 34. 34. 離子轟擊. • 任何接近電漿的東西會受到離子轟擊. • 對濺鍍, 蝕刻和PECVD很重要 ...
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 離子轟擊 相關參考資料
2-1 濺鍍技術
此時表示靶材已遭毒化，謂之靶中毒(Target Poisoning)[11]。 需對靶材施以離子轟擊清潔表面，直至露出新鮮靶肉。 Zeon PDF Driver Trial. http://rportal.lib.ntnu.edu.tw Ch7 Plasma
電荷的離子氣體. •. 電漿是由中性原子或分子、負. 電（電子）和正電（離子）所. 構成. • 在大部分的電漿製程反應室 ... 離子轟擊(Ion Bombardment). http://homepage.ntu.edu.tw Chapter 7 電漿的基礎原理
正電的離子. • 鞘層電位加速離子朝向電極移動，造成離子. 轟擊. Page 34. 34. 離子轟擊. • 任何接近電漿的東西會受到離子轟擊. • 對濺鍍, 蝕刻和PECVD很重要 ... https://pdf4pro.com ion bombardment - 離子轟擊 - 國家教育研究院雙語詞彙
出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 電力工程, ion bombardment, 離子轟擊. 學術名詞 材料科學名詞-兩岸材料科學名詞, ion bombardment, 離子轟擊. 學術名詞 https://terms.naer.edu.tw 反應式離子蝕刻機／Reactive Ion Etching
(一)矽基材質的蝕刻，製程氣體是以氟離子電漿(Fluoride-based)為基礎，包含二氧化 ... (二)進行表面改質，加入O / Ar離子轟擊可將被蝕刻材質表面的原子鍵結破壞，加速 ... https://ctrmost.web2.ncku.edu. 反應離子刻蝕- 維基百科，自由的百科全書
反應離子蝕刻（英文：Reactive-Ion Etching，或簡寫為RIE）是一種半導體生產加工工藝，它利用由電漿體強化後的反應離子氣體轟擊目標材料，來達到刻蝕的目的。 https://zh.wikipedia.org 技術與能力 - 友威科技股份有限公司
濺鍍(Sputtering). 濺鍍（sputtering）是利用電漿（plasma）對靶材料進行離子轟擊（ion bombardment），而將靶材料表面的原子撞擊出來，這些靶原子以氣體分子型式發射 ... https://www.uvat.com 第二章 感應耦合電漿蝕刻與AlGaNGaN HEMT
由 陳力輔 著作 · 2004 — 純物理性蝕刻，又稱為離子轟擊蝕刻，是利用偏壓將電漿中帶電的正. 離子加速並往晶片表面轟擊，透過部分離子能量的轉移而將蝕刻材料擊. https://ir.nctu.edu.tw 離子轟擊 - 政府研究資訊系統GRB
關鍵字：電漿離子轟擊；硬質薄膜；磨耗；腐蝕. 奈米複合結構硬質鍍膜，然後再以先前研究鍍膜後改質之觀念，此次改以電漿離子轟擊技術改質比較CrAlSiN 薄膜。 https://www.grb.gov.tw 電漿離子轟擊 - 政府研究資訊系統GRB
關鍵字：電漿離子轟擊；硬質薄膜；磨耗；腐蝕. 奈米複合結構硬質鍍膜，然後再以先前研究鍍膜後改質之觀念，此次改以電漿離子轟擊技術改質比較CrAlSiN 薄膜。 https://www.grb.gov.tw |