rf電漿原理
帶電粒子的移動. • RF電場快速變換，電子能快速地加速，而離. 子反應很慢. • 離子截面積較大，加速過程碰撞機會較多，. 更使速度減慢. • 電漿中電子的移動比離子快得多 ... ,由 張朝雯 著作 · 2003 · 被引用 1 次 — 電漿蝕刻製程參數中一般包括了射頻(Radio-frequency，RF)功率、操 ... 及變壓耦合式電漿源（Transformer Coupled Plasma，TCP ）操作原理與加熱機制﹔.
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電漿是具有等量的正電荷和負 ... 需要外界的能量- 射頻（RF）電漿源是半導 ... 電漿蝕刻. ▫ CF. 4. 氣體在電漿中分解，產生氟自由基以進. 行氧蝕刻製程. http://homepage.ntu.edu.tw Chapter 7 電漿的基礎原理
帶電粒子的移動. • RF電場快速變換，電子能快速地加速，而離. 子反應很慢. • 離子截面積較大，加速過程碰撞機會較多，. 更使速度減慢. • 電漿中電子的移動比離子快得多 ... https://pdf4pro.com 國立交通大學機械工程研究所碩士論文 - 國立交通大學機構典藏
由 張朝雯 著作 · 2003 · 被引用 1 次 — 電漿蝕刻製程參數中一般包括了射頻(Radio-frequency，RF)功率、操 ... 及變壓耦合式電漿源（Transformer Coupled Plasma，TCP ）操作原理與加熱機制﹔. https://ir.nctu.edu.tw 奇妙的電漿與電漿的應用 - 國家實驗研究院
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射頻電漿源RF Plasma Source · 能產生極大之離子電流密度 · 離子能量（Ion Energy） 可獨立控制，不因RF電源的輸出大小而變化。可針對特定製程設定所需的離子能量，抑制膜質 ... https://www.junsun.com.tw 第一章緒論 - 國立交通大學機構典藏
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