plasma sheath成因
蝕刻技術中，正離子經由電漿鞘層(Plasma Sheath)加速. 後轟擊矽晶圓，使其表面原子的鍵結破壞進而能迅速. 與活化粒子進行化學反應達到蝕刻效果。另外如在鑽. ,電漿（Plasma）製程被廣泛的使用在半導體製程上。舉例來說， ... 為鞘層電位（Sheath Potential）（如圖2.2所示）。由於該區的電子較少.
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DC Bias of CVD Chamber Plasma. Grounded. V = 10 20 V. RF hot. Grounded. Vp = 10 − 20 V. Dark spaces or sheath regions. 40. Dark spaces or sheath regions ... http://140.117.153.69 專輯前言 - 台灣物理學會
蝕刻技術中，正離子經由電漿鞘層(Plasma Sheath)加速. 後轟擊矽晶圓，使其表面原子的鍵結破壞進而能迅速. 與活化粒子進行化學反應達到蝕刻效果。另外如在鑽. https://www.ps-taiwan.org 第一章、緒論
電漿（Plasma）製程被廣泛的使用在半導體製程上。舉例來說， ... 為鞘層電位（Sheath Potential）（如圖2.2所示）。由於該區的電子較少. http://ir.lib.ksu.edu.tw 第一章緒論 - 國立交通大學機構典藏
由 彭元宗 著作 · 2005 — (Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition)為研究對象，討論隨著製程演進而發生 ... 本論文主旨在研究wafer Arcing 之成因，及實驗找出wafer Arcing 之方法，. https://ir.nctu.edu.tw 第二章文獻回顧
由 林兆焄 著作 · 2005 — glory-discharge plasma. ΔVp is the minimum (anode) sheath voltage drop. [Smith-1999-p466]. 2.2.3 微波電漿之原理與特性. 在這裡討論的電漿是利用放電現象所產生 ... https://ir.nctu.edu.tw 等离子体- 维基百科，自由的百科全书
非中性等離子體含有過高的淨電荷密度，甚至完全以單種帶電粒子組成，這時電場在該非中性等離子體中的作用是舉足輕重的。 中文對「plasma」一詞的翻譯有二：取其最早的含義 ... https://zh.wikipedia.org 電漿源原理與應用之介紹
由 李安平 著作 — 蝕刻技術中，正離子經由電漿鞘層(Plasma Sheath)加速. 後轟擊矽晶圓，使其表面原子的鍵結破壞進而能迅速. 與活化粒子進行化學反應達到蝕刻效果。另外如在鑽. http://psroc.phys.ntu.edu.tw 電漿製程技術講義
The formation of plasma sheaths. 31. (b) densities, and potential after formation of sheath. (a) initial ion and e- densities and potential. http://www.mse.nchu.edu.tw 電漿鞘- 教育百科
plasma sheath. 作者：. 吳俊聰. 日期：. 2002年12月. 出處：. 力學名詞辭典. 辭書內容. 名詞解釋： 1.和電漿體接觸的牆壁聚集負電荷，此負電荷吸引電漿體中帶正電的 ... https://pedia.cloud.edu.tw 高密度電漿源設計製作及其應用在半導體製程之發展情況
遠大於正離子，局部的電荷失衡使物體表面很小的區. 域產生急速的電位降，這個區域稱為電漿鞘層(plasma sheath)，以典型的電漿製程設備電子溫度1eV和電漿. http://ejournal.stpi.narl.org. |