bhf蝕刻
蝕刻、植離子、灰化。 – 影響：降低崩潰電壓；接面漏電；. 影響降低 ... 2. O. 2. + H. 2. O. • 去除自然氧化膜與金屬. – BHF：. BHF：. • 成分：HF + NH. 4. F. • 氧化膜濕式蝕刻 ... ,般在15~30秒。緩衝式氧化物蝕刻劑（BOE或. BHF；NH4F/HF/H2O）可用於取代一些蝕刻製. 程中的稀釋氫氟酸，但與緩衝式氧化物蝕刻劑. 圖三、SPM後的H.QDR槽 ...
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