cf4蝕刻
蝕刻. 氮化矽. 氮化矽. 二氧化矽蝕刻幕罩. 光阻圖案 ... 乾式蝕刻：CF4(10 sccm)@60 mTorr ... 電漿蝕刻. 物理濺擊或離子銑削、電漿蝕刻、與活性. 離子蝕刻之關係 ... ,由 古坤文 著作 · 2003 — 半導體金屬蝕刻製程主要使用Cl2(氯氣)、BCl3(氯化硼)、CF4(四氟. 化碳)、N2(氮氣)、Ar(氬氣)、He(氦氣)，以高能電漿(plasma)離子化產生.
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 cf4蝕刻 相關參考資料
Ch9 Etching
CF4,. CHF3, ... 底層. Si, Cu,. Au,. 多晶矽或. 金屬矽化. 物. 金屬. 金屬. http://homepage.ntu.edu.tw 乾蝕刻技術
蝕刻. 氮化矽. 氮化矽. 二氧化矽蝕刻幕罩. 光阻圖案 ... 乾式蝕刻：CF4(10 sccm)@60 mTorr ... 電漿蝕刻. 物理濺擊或離子銑削、電漿蝕刻、與活性. 離子蝕刻之關係 ... http://mems.mt.ntnu.edu.tw 半導體金屬蝕刻機台於預防維修時之污染物逸散控制 - 國立交通 ...
由 古坤文 著作 · 2003 — 半導體金屬蝕刻製程主要使用Cl2(氯氣)、BCl3(氯化硼)、CF4(四氟. 化碳)、N2(氮氣)、Ar(氬氣)、He(氦氣)，以高能電漿(plasma)離子化產生. https://ir.nctu.edu.tw 半導體＆ ETCH 知識，你能答對幾個？ - 吳俊逸的數位歷程檔
2020年10月21日 — 答：是在蝕刻室的清凈或更換零件後，為要穩定製程條件，使用 ... 答：Inert Gas 為一些特殊無強烈毒性的氣體, 如NH3, CF4, CHF3, SF6 等. http://ilms.ouk.edu.tw 反應式離子蝕刻機／Reactive Ion Etching
製程氣體：CF4、SF6、O2、Ar 試片尺寸：破片~up to 6” wafer. Rf最大功率：500W 蝕刻材料： (1) 矽、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiN)與多晶矽(Poly-Si)等Si-base材料 https://ctrmost.web2.ncku.edu. 四氟化碳- 维基百科，自由的百科全书
四氟化碳，又称为四氟甲烷、Freon-14及R 14，是一種鹵代烴（化學式：CF4）。它既可以被視為一种鹵代烴、鹵代甲烷、全氟化碳，也可以被视为一种无机化合物。 https://zh.wikipedia.org 材料科學與工程學系碩士論文 - 國立交通大學機構典藏
由 劉吉峰 著作 · 2005 — 在此，我們將利用反應性離子蝕刻系統(RIE)來進行奈米孔洞二氧化矽. 薄膜挖蝕接觸窗及引洞。一般而言，蝕刻氧化矽薄膜的反應氣體，大多以. 氟化碳的氣體為主，如早期的CF4 ... https://ir.nctu.edu.tw 蝕刻技術
蝕刻技術. (Etching). 嚴大任助理教授. 國立清華大學材料科學工程學系 ... Etch Selectivity (蝕刻選擇比, S=r ... 有： 可通入CF4、O2等氣體. 蝕刻二氧化矽、氮化矽等 ... https://www.sharecourse.net 電子物理學研究所碩士論文 - 國立交通大學
由 葉偉誠 著作 · 2008 — 3-4-1 SF6/O2 蝕刻SiO2. 43. 3-4-2 CF4/O2 蝕刻SiO2. 46. 3-4-3 CF4/Ar蝕刻SiO2. 48. 3-5 電漿蝕刻參數及氮化鎵深度探討. 50. 3-5-1 BCl3/Cl2蝕刻GaN. https://ir.nctu.edu.tw 電漿蝕刻SiC 材料與微型模具製作之研究
Keywords: Micro-mold, Plasma etching, CF4, SiC. II. Page 7. 誌謝. 首先要感謝我的指導 ... http://chur.chu.edu.tw |