離子佈植深度計算
離子佈植與擴散之比較. 光阻. SiO2. Si. Si. 離子佈植. 擴散. 摻雜區. 接面深度. Major Considerations: 1. Mask: 2. Lateral diffusion: 3. Depth vs. concentration: 4. ,較高的能量通常被用於較重的離子，產生以大約0.2 um為中心的典型植入深度。更重要的 ... 在深度分析中顯示的磷植入原始資料可以用於計算磷在矽元素中的RSF。
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離子佈植與擴散之比較. 光阻. SiO2. Si. Si. 離子佈植. 擴散. 摻雜區. 接面深度. Major Considerations: 1. Mask: 2. Lateral diffusion: 3. Depth vs. concentration: 4. http://homepage.ntu.edu.tw SIMS理論：RSF測定標準
較高的能量通常被用於較重的離子，產生以大約0.2 um為中心的典型植入深度。更重要的 ... 在深度分析中顯示的磷植入原始資料可以用於計算磷在矽元素中的RSF。 http://www.eaglabs.com.tw 三、在離子佈植製程中，若以..-阿摩線上測驗
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