離子佈植原理

半導體積體電路生產技術從摻雜技術— 離子佈植（ Ion. Implantation）談起? 及他們所用到的原理。站點①：離子的來源—化合物氣體. 首先要游離的材料必須為氣態，所以先選定硼的氣. 態化合物，我們選的是三氟化硼（BF3）這種化合物，. 但因為BF3 具有毒性，故選擇採用SDS （Safe Delivery. Source）封裝技術的鋼瓶（圖4）。 SDS 鋼瓶 ... ,隨著半導體元件（Semiconductor Devices）不斷縮小，離子植入（Ion Implantation）製程必須降低植入能量（Implant. Energy）和提高摻雜（Dopant）劑量（Dose），才能讓先進金屬氧化物半導體電晶體（MOSFET）擁有更高效能。此. 種元件之源極／汲極延伸區（Source/Drain Extension, SDE）所要求的新製程中，如超淺接面（Ultra-shallow ...

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離子佈植原理相關參考資料

離子佈植摻雜(Ion implantation) - Ansforce

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離子佈植（Ion Implantation） - 國家奈米元件實驗室

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朝向更低能量之離子植入製程新趨勢與超淺接面的 ... - 國家奈米元件實驗室

隨著半導體元件（Semiconductor Devices）不斷縮小，離子植入（Ion Implantation）製程必須降低植入能量（Implant. Energy）和提高摻雜（Dopant）劑量（Dose），才能讓先進金屬氧化物半導體電晶體（MOSFET）擁有更高效能。此. 種元件之源極／汲極延伸區（Source/Drain Extension, SDE）所要求的新製程中，如超淺接面（Ultr...

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離子植入 - Digitimes

離子植入. 李佳翰; 2015-05-07. 離子植入(ion implantation)是半導體摻雜的方式之一。將欲加入的雜質先離子化，提昇雜質的能量或動能，接著利用電場加速離子運動 ... 其中，離子源是為產生各種離子的基本設備，其工作原理係將靶材物質遊離，使其形成帶正電或負電的離子，再藉由引出電壓將離子引出，然後經由分析磁鐵選擇所需的 ...

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離子佈植 - 中央研究院物理研究所

真空系統包括粗抽真空幫浦與高抽真空幫浦兩種，一般的離子佈植系統係以將照射腔體的真空度抽至 10-7～10-8 torr 左右。控制系統負責聯絡與監測整個系統之中各個元件的工作情形，以期達到操作正常與順暢的目的。根據工作原理的不同，離子源具有多種不同的形式。中央研究院物理所的 9SDH-2 串級加速器具有兩個負離子源，一 ...

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Chapter 8 離子佈植

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離子佈植

損壞過程. • 佈植的離子將能量轉移到晶格原子. – 原子被撞離. • 自由的原子與其它晶格原子產生碰撞. – 產生更多都自由的晶格原子. – 持續損壞到所有的自由原子停下來為止. • 一個高能量的離子可以導致數千個晶格原子的偏移位置. 重離子. 單晶系. 損傷區. 輕離子 ...

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