曝光後烘烤
沒有這個頁面的資訊。瞭解原因 ,這層光阻劑在曝光（一般是紫外線）後可以被特定溶液（顯影液）溶解。 ... 通過在較高溫度下進行烘培，可以使溶劑從光阻中揮發出來（前烘後溶劑含量降至5％左右）， ...
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 曝光後烘烤 相關參考資料
6 Photolithography
列出四種對準(alignment)和曝光(exposure) 系統 g p. ) •敘述晶 ... 過度烘烤(Over bake)：使光阻聚合,曝光不靈. 敏 ... 會與光罩上的圖形相去甚遠，曝光後的圖. 會與光 ... http://140.117.153.69 www.isu.edu.twupload8120143newspostfile_11516.pdf
沒有這個頁面的資訊。瞭解原因 http://www.isu.edu.tw 光刻- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
這層光阻劑在曝光（一般是紫外線）後可以被特定溶液（顯影液）溶解。 ... 通過在較高溫度下進行烘培，可以使溶劑從光阻中揮發出來（前烘後溶劑含量降至5％左右）， ... https://zh.wikipedia.org 光阻劑
硬烘烤. 剝除. 光阻. 蝕刻. 先前的. 程序. 離子佈. 植. 退回. 表面預處理. 光阻塗佈. 軟烘烤. 對準及曝. 光. 顯影. 檢視. 曝光後烘烤. 驗過. 清洗. 晶圓軌道系統. 光學區間. 10 ... http://homepage.ntu.edu.tw 半導體製程技術 - 聯合大學
先前的. 製程. 離子佈. 植. 退回. 表面預處理. 光阻塗佈. 軟烘烤. 對準及曝. 光. 顯影. 檢視. 曝光後烘烤. 驗過. 清洗. 晶圓軌道系統. 光學區間. 光學單元. 微影製程的流程圖 ... http://web.nuu.edu.tw 微影
http://waoffice.ee.kuas.edu.tw 微影照像
前者一次曝光一整片晶圓（wafer），後者以步進重覆方式，一次曝光數個晶. 片（chip）。更進步的用步進掃描（step and scan）。 4. 曝光後烘烤（post exposure bake, ... http://www.wunan.com.tw 第一章緒論 - 國立交通大學機構典藏
五、曝光後烘烤：以90℃到130℃的溫度烘烤晶圓，目的在重新排列光阻結構以. 降低其駐波效應。 六、顯影：以顯影劑噴灑在經曝光後已有潛在圖案定義的光阻層上，再 ... https://ir.nctu.edu.tw |