扭結效應
通道中所衍生出來的〝自體加熱效應〞及有效消除因撞擊游離(impact ionization)在輸出特性曲所造成的扭結(kink)現象,提高元件崩潰電壓與可靠. 度。雖然趨動電流 ... ,通道中所衍生出來的〝自體加熱效應〞及有效消除因撞擊游離(impact ionization)在輸出特性曲所造成的扭結(kink)現象,提高元件崩潰電壓與可靠. 度。雖然趨動電流 ...
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在本篇論文中,我們將探討在矽在絕緣層上(SOI) 中利用扭結效應(Kink effect) 改變臨界電壓(Threshold Voltage) 的特性來製作一個單電晶體動態隨機存取記憶體的 ... https://ndltd.ncl.edu.tw 國立中山大學電機工程學系碩士論文
通道中所衍生出來的〝自體加熱效應〞及有效消除因撞擊游離(impact ionization)在輸出特性曲所造成的扭結(kink)現象,提高元件崩潰電壓與可靠. 度。雖然趨動電流 ... http://etd.lib.nsysu.edu.tw 國立中山大學電機工程學系碩士論文 - eThesys 國立中山大學 ...
通道中所衍生出來的〝自體加熱效應〞及有效消除因撞擊游離(impact ionization)在輸出特性曲所造成的扭結(kink)現象,提高元件崩潰電壓與可靠. 度。雖然趨動電流 ... https://etd.lis.nsysu.edu.tw 國立交通大學機構典藏:探討矽在絕緣層上元件之扭結效應的 ...
在本篇論文中,我們將探討在矽在絕緣層上(SOI) 中利用扭結效應(Kink effect) 改變臨界電壓(Threshold Voltage) 的特性來製作一個單電晶體動態隨機存取記憶體的 ... https://ir.nctu.edu.tw 多閘極複晶矽薄膜電晶體閘極長度對電場之影響 - 逢甲大學
良出新穎式的結構,好因應高接面電場所帶來許多的不理想效應,而. 多閘極薄膜電 ..... current effect)、熱載子效應(hot carrier effect)以及扭結效應(kink effect). 都與汲 ... http://dspace.lib.fcu.edu.tw 浮体效应_百度百科
它也造成历史效应(英语:history effect),即晶体管与之前状态阈值电压有关的效应。在模拟电路器件中,浮体效应被称作扭结效应(英语:Kink effect)。 https://baike.baidu.com 浮體效應- 維基百科,自由的百科全書 - Wikipedia
它也造成歷史效應(英語:history effect),即電晶體與之前狀態閾值電壓有關的效應。在模擬電路器件中,浮體效應被稱作扭結效應(英語:Kink effect)。 https://zh.wikipedia.org 無扭結效應之金屬延伸場板複晶矽薄膜電晶體之研究__臺灣博 ...
我們知道元件在汲極端的高電場導致了許多不理想效應,如漏電流效應、扭結效應、熱載子效應。在本篇論文中,一個高效能的的下部閘極薄膜電晶體伴隨著汲極延伸場 ... http://ndltd.ncl.edu.tw |