well implant
retrograde well, buried layer. → MOS電性調整 well. Field oxide substrate gate. Channel stop ... (3) TEOS deposition → PLCVD, P-well implant mask. (4) CMP ... ,出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 電子工程, retrograde well implant, 逆行井植入. 以逆行井植入 進行詞彙精確檢索結果. 出處/學術領域, 中文詞彙, 英文 ...
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 well implant 相關參考資料
6.2.1 ESD-Implant Process(防靜電放電佈植製程)
0.6μm的CMOS製程下，ESD-Implant Process的NMOS元件. 最小通道長度L ... 利用N-well結構把這中間的N+ diffusion連接到MOS通道的. 汲極N+diffusion去。 http://www.ics.ee.nctu.edu.tw IC 製程簡介
retrograde well, buried layer. → MOS電性調整 well. Field oxide substrate gate. Channel stop ... (3) TEOS deposition → PLCVD, P-well implant mask. (4) CMP ... http://www.topchina.com.tw retrograde well implant - 逆行井植入 - 國家教育研究院雙語詞彙
出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 電子工程, retrograde well implant, 逆行井植入. 以逆行井植入 進行詞彙精確檢索結果. 出處/學術領域, 中文詞彙, 英文 ... http://terms.naer.edu.tw The effect of triple well implant dose on performance of NMOS ...
In a triple-well technology, the addition of a high energy implant allows the creation of a separate tub which is junction isolated from the substrate. We study the ... https://ieeexplore.ieee.org well implant中文翻譯,well implant是什麼意思:阱區離子注入…
well implant中文阱區離子注入…，點擊查查權威綫上辭典詳細解釋well implant的中文翻譯，well implant的發音，音標，用法和例句等。 https://tw.ichacha.net Well Proximity Effect - BuBuChen的旅遊記事本
2008年9月28日 — 圖一是N-Well的製作過程，Well PR是指Well Photo Resistant，是用來阻擋Well Implant，也就是不是形成N-Well的地方就有Well PR，來把N-Well ... http://www.bubuchen.com 抑制WPE 之佈植製程改良 - Cypress Semiconductor
This well proximity effect (WPE) is caused by the well implant atoms that scatter laterally from the photoresist mask. From first principles of this scattering effect ... http://www.cypress.com 逆行井植入英文，retrograde well implant中文，電子工程- 雙語 ...
中文 逆行井植入. 英文 retrograde well implant. 學術領域 電子工程. 逆行井植入用英文怎麼說？ retrograde well implant. 【逆行井植入】相關詞彙中英文 ... https://www.3du.tw |