wpe effect
WPE：Well proximity effect. STI Effect：LOD length of diffusion}. 就是STI槽中填充的隔离介质会产生机械应力，挤压比邻的MOS，使电参数发生和 ...,本文重點介紹制程帶來的兩個重要效應：WPE、STI。 ... 種不均勻造成MOS管閾值電壓Vth、體效應參數gamma、 遷移率u等的改變，這就是WPE(Well Proximity Effect).
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Impact of Well Edge Proximity Effect on Timing - Osaka ...
effect” (WPE). As advanced deep well implants with high- energy implanters are introduced to suppress parasitic bipolar gain for latch-up protection, WPE ... http://www-ise2.ist.osaka-u.ac WPE & LOD（应力效应）_WPE,LOD_zhangzker的博客-CSDN ...
WPE：Well proximity effect. STI Effect：LOD length of diffusion}. 就是STI槽中填充的隔离介质会产生机械应力，挤压比邻的MOS，使电参数发生和 ... https://blog.csdn.net 纳米级IC设计中制造工艺对电路性能的影响_图文_百度文库
本文重點介紹制程帶來的兩個重要效應：WPE、STI。 ... 種不均勻造成MOS管閾值電壓Vth、體效應參數gamma、 遷移率u等的改變，這就是WPE(Well Proximity Effect). https://wenku.baidu.com Well Proximity Effect - BuBuChen的旅遊記事本
談完LOD Effect，就不得不再談談WPE。 在先進半導體製程中，除了LOD (Length of Diffusion) Effect外，另一個常被提到的問題就是Well Proximity ... http://www.bubuchen.com Introduction to LOD Effect (上) - BuBuChen的旅遊記事本
在先進的CMOS製程裡，LOD (Length of Diffusion) Effect將會是影響類比電路的一個重要參數。 剛好最近讀了 ... 延伸閱讀2：Well Proximity Effect http://www.bubuchen.com 抑制WPE 之佈植製程改良 - Cypress Semiconductor
This well proximity effect (WPE) is caused by the well implant atoms that scatter laterally from the photoresist mask. From first principles of this scattering effect ... http://www.cypress.com 集成电路中的WPE 和LOD 效应| Return To Innocence
WPE, 也即Well Proximity Effect, 其原理可以参见下图: 集成电路制造过程中， 在对阱作离子注入时，注入的离子与阱区周围的光刻胶发生溅射而富集在 ... http://rt2innocence.net 集成電路中的WPE和LOD（STI）效應- 壹讀
WPE, 也即Well Proximity Effect, 其原理可以參見下圖: 集成電路製造過程中， 在對阱作離子注入時，注入的離子與阱區周圍的光刻膠發生濺射而富集 ... https://read01.com Well Proximity Effect @ BuBuChen的旅遊記事本(2013-5之後 ...
談完LOD Effect，就不得不再談談WPE。在先進半導體製程中，除了LOD (Length of Diffusion) Effect外，另ㄧ個常被提到的問題就是Well Proximity ... https://bubuchen.pixnet.net |