lod效應
在先進半導體製程中,除了LOD (Length of Diffusion) Effect外,另一個常被提到的問題就是Well Proximity Effect,簡稱WPE,中文叫"井鄰近效應"。,fumes 发表于2012-1-10 16:40. 如何降低LOD效应? 用0.13um工艺,两个需要匹配的管子,例如电流镜和差分对,怎么选取m或版图画法来降低LOD效应? wulong527 ...
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在先進半導體製程中,除了LOD (Length of Diffusion) Effect外,另一個常被提到的問題就是Well Proximity Effect,簡稱WPE,中文叫"井鄰近效應"。 http://www.bubuchen.com 如何降低LOD效应?(页1) - AnalogRF IC 设计- AnalogRF IC 设计讨论 ...
fumes 发表于2012-1-10 16:40. 如何降低LOD效应? 用0.13um工艺,两个需要匹配的管子,例如电流镜和差分对,怎么选取m或版图画法来降低LOD效应? wulong527 ... http://bbs.eetop.cn LOD效应和STI效应有什么区别(页1) - Analog Layout(版图) - Layout讨论 ...
如题,想知道LOD效应和STI效应有什么区别吗? sltu02 发表于2014-4-14 01:04. 二者都是指同一件事...STI對silicon產生stress,改變了器件的晶格 ... http://bbs.eetop.cn 求助:LOD效应有什么危害?(页1) - 后端设计- 后端讨论区- ET创芯网论坛 ...
ptadx 发表于2011-7-6 23:36. 求助:LOD效应有什么危害? 求助:LOD效应有什么危害?什么情况下要考虑啊。请各位大侠解答,谢谢! jingest 发表于2011-7-7 09: ... http://bbs.eetop.cn 集成电路中的WPE 和LOD 效应| Return To Innocence
在这里把看到的关于WPE 和LOD 效应的内容小结一下. WPE, 也即Well Proximity Effect, 其原理可以参见下图: 集成电路制造过程中, 在对阱作离子 ... http://rt2innocence.net WPE & LOD(应力效应) - zhangzker的博客- CSDN博客
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WPE <wbr>& <wbr>LOD(应力效应).1. 增加SA和SB就是增加缓冲距离减弱应力,S和D端不要直接面临STI并适当增加距离即可缓解LOD效应. http://blog.sina.com.cn 请教wpe和lod效应_百度知道
WPE & LOD(应力效应). LOCOS:. 鸟嘴,H/W小,不太适合CMP工序. STI:. H/W大,便于CMP工序. 就是挖沟,填二氧化硅隔离介质Mos比喻成城池,STI就是护城河}. https://zhidao.baidu.com |