ldmos優點
稱為LDMOS(Lateral Double-Diffused. MOS)，如圖三(a) 所示。水平式的結 ..... 率和控制電路設計的優點及BJT 的高. 輸出電流。IGBT 適用於頻率在1k~10k. 的範圍及 ... ,向雙擴散金氧半場效電晶體，即LDMOS (Lateral double-diffused. MOSFET)，元件 ... 側向功率元件的優點是容易製造且易於和現行的半導體技術作. 整合，然而側向 ...
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