kirk效應
BJT在大注入工作时,另外还容易出现的效应是发射极电流集边效应和Kirk效应(基区展宽效应)。 产生机理例如,对n-p-n晶体管,当发射结电压较大、往基区大量地 ... ,BJT在大注入工作時,另外還容易出現的效應是發射極電流集邊效應和Kirk效應(基 ... Webster effect 效應對大電流狀態下工作的均勻基區電晶體(例如合金電晶體)而 ...
相關軟體 Wire 資訊 | |
---|---|
![]() kirk效應 相關參考資料
HV的結構與原理–DDDMOS or LDMOS? - 每日頭條
正是由於DDDMOS有kirk-effect的致命問題,所以它的應用非常窄,理論上限制 ... 但是它是在normal switch下並且考慮了self-heat效應的。 https://kknews.cc Webster效应_百度百科
BJT在大注入工作时,另外还容易出现的效应是发射极电流集边效应和Kirk效应(基区展宽效应)。 产生机理例如,对n-p-n晶体管,当发射结电压较大、往基区大量地 ... https://baike.baidu.com Webster效應: -華人百科
BJT在大注入工作時,另外還容易出現的效應是發射極電流集邊效應和Kirk效應(基 ... Webster effect 效應對大電流狀態下工作的均勻基區電晶體(例如合金電晶體)而 ... https://www.itsfun.com.tw www.baike.comwikiKirk效应
http://www.baike.com 國立交通大學
時滿足耐高壓及大電流的能力,又要防止閂鎖效應(latch up)的發生。橫向擴散 ... 防護能力的下降,例如克爾克效應(Kirk-effect)導致保持電壓(holding voltage)太. http://www.ics.ee.nctu.edu.tw 基区展宽效应_百度百科
BJT的基区宽度在大电流时发生展宽的现象,即称为基区展宽(扩展)效应,也称为Kirk效应。... https://baike.baidu.com 爾利效應- 維基百科,自由的百科全書 - Wikipedia
爾利效應(英語:Early effect),又譯厄爾利效應或譯歐萊效應,也稱基區寬度調變效應,是指當雙極性電晶體(BJT)的集極-射極電壓VCE改變,基極-集極空乏 ... https://zh.wikipedia.org 第一章簡介 - 電子工程系
http://140.128.87.3 電導調製:又稱基區寬度調製效應,屬於半導體物理的範疇了。就是指基區 ...
就是指基區的有效寬度隨集電結的反偏電壓的變化而變化的效應。 ... 輸出電阻減小的現象;另外,基區寬度展寬效應就是Kirk效應,是在大電流下基區寬度增大的現象。 https://www.itsfun.com.tw 電源nLDMOS 元件源汲極工程探討研究A Study of SourceDrain ...
效應(Latch-up)可靠性問題進行改善研究,也就是利用源 ... 關鍵字:靜電放電、閂鎖效應、觸發電壓、保持電壓、 ... [1][3],其結構可用以預防Kirk effect 的產生並且. http://ir.lib.ksu.edu.tw |