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Centura® DPN HD 高純度解耦電漿氮化閘極堆疊| Applied ...

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CTimes - :65奈米,應用材料,台積電,TSMC,半導體製造與測試

... 在Centura平台操作上,藉由整合DPN技術、Radiance RTP快速昇溫處理、現場蒸氣產生(ISSG)的氧化技術,以及複晶矽沈積製程技術,提供薄膜分界面控制性能。

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半導體製程技術 - 聯合大學

佈植. 70年代中期至今. 遮蔽氧化層. ~ 5000 Å. 擴散. 場區及局部氧化層. 3000 - 5000 Å. 絕緣. 60年代到90年代. 襯墊氧化層. 100 - 200 Å. 氮化矽應力緩衝層. 60年代 ...

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博碩士論文行動網

論文名稱: 臨場蒸氣產生技術(ISSG)應用於鎢奈米點非揮發性記憶體之研究. 論文名稱(外文): ... 系所名稱: 工學院碩士在職專班半導體材料與製程設備組. 論文出版年 ...

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工學院半導體材料與製程設備學程. 關鍵字: 臨場蒸氣產生技術(ISSG);鎢奈米點;非揮發性記憶體;In-Situ Steam Generation;Tungsten Nanocrystal;Nonvolatile ...

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行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 - eTop-工程科技 ...

Generated oxide, ISSG) 、高溫氧化法 ... 件,但是負閘極電壓FN 轉折向上較ISSG 提 ... 會議名稱:2007 年國際半導體元件學術研究研討會(2007 ISDRS,2007.

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