capacitively coupled plasma原理
蝕刻原理及電容耦合式電漿源(capacitive coupled plasma)與變壓... Plasma， CCP）陸續被發表出來，1980 年代晚期至1990 年代初期，. 主要是利用一維模式 . ,Chapter 7. 電漿的基礎原理 ... 高密度電漿(High density plasma ,HDP)的游. 離率約1∼5% ... 感應耦合型電漿(Inductively coupled plasma, ICP).
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由 廖木生 著作 · 2004 · 被引用 1 次 — 蝕刻原理及電容耦合式電漿源(capacitive coupled plasma)與變壓. 耦合式電漿源（Transformer Coupled Plasma，TCP ）比較兩著的優. 劣與特性﹔第三章利用實驗設計法與 ... https://ir.nctu.edu.tw 感應耦合電漿- 維基百科，自由的百科全書
感應耦合電漿（英語：Inductively Coupled Plasma，縮寫：ICP）是一種通過隨時間變化的磁場電磁感應產生電流作為能量來源的電漿體源。 https://zh.wikipedia.org 轉載:ICP工藝的基本原理是什麼@ Chinganchen的部落格 - 隨意窩
一般來講，常見的有：①RIE：Reactive Ion Etching ②ICP： Inductively coupled plasma ③TCP：transformer coupled plasma ④CCP：Capacitively Coupled Plasma https://blog.xuite.net 電漿源原理與應用之介紹
由 李安平 著作 — 因此，ICP 又稱為變壓器偶合式電漿(Transformer. Coupled Plasma, TCP)。電感偶合式電漿在低輸入功率. (低電漿密度)時，射頻功率之偶合是以線圈與電漿間. http://psroc.phys.ntu.edu.tw |