antenna effect原理
8/5/2004. 4. Plasma Induced Damage (PID) = Antenna Effect. • Occurs during manufacturing process. • Antennae are floating conduction layers without shielding layer of oxide [16]. -effects poly and metal layers. • The random discharge of the floating node,利用薄膜和特定溶液間所進行的. 化學反應，來去除未被光阻覆蓋. 的薄膜. ◇ 優點：製程簡單、產量速度快、. 屬等向性蝕刻. ◇ 濕式蝕刻的化學反應屬於液相及. 固相的反應。 ◇ 當濕式蝕刻動作進行時，溶液裡. 的反應物將利用擴散效應，來通. 過一層厚度相當薄的邊界層，來. 到達被蝕刻薄膜的表面。然後，. 反應物和薄膜表面的分子產生 ...
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 antenna effect原理 相關參考資料
Antenna effect-天线效应_百度文库
随着工艺技术的发展，gate 的尺寸越来越小，metal 的层数越来越多，发生antenna effect 的可能性就越大，所以，在0.4um/DMSP/TMSP 以上工艺，我们一般 .... 在版图设计中，向上跳线法用的较多，此法的原理是：考虑当前金属层对栅极的天线效应时，上一层金属还不存在，通过跳线，减小存在天线效应的导体面积来 ... https://wenku.baidu.com antenna effects.pdf
8/5/2004. 4. Plasma Induced Damage (PID) = Antenna Effect. • Occurs during manufacturing process. • Antennae are floating conduction layers without shielding layer of oxide [16]. -effects poly and me... http://ssal.kaist.ac.kr Chap9 蝕刻(Etching)
利用薄膜和特定溶液間所進行的. 化學反應，來去除未被光阻覆蓋. 的薄膜. ◇ 優點：製程簡單、產量速度快、. 屬等向性蝕刻. ◇ 濕式蝕刻的化學反應屬於液相及. 固相的反應。 ◇ 當濕式蝕刻動作進行時，溶液裡. 的反應物將利用擴散效應，來通. 過一層厚度相當薄的邊界層，來. 到達被蝕刻薄膜的表面。然後，. 反應物和薄膜表面的分子產生 ... http://waoffice.ee.kuas.edu.tw Re: [問題] 有關超大積體電路的解釋名詞（急），拜… - 看板Electronics ...
Body effect 當(本體)B 與源極S 之間存在電壓Vbs，會對臨界電壓(Vt)產生影響。 : 5.天線效應? Antenna effect 在半導體製造過程當中，電漿蝕刻(Plasma Etching)時，做為導線的金屬層/多晶矽層(Metal/Polysilicon)因累積了過多的電荷，將會導致對閘極氧化層(gate oxide) 靜電放電，而損害了元件。因為導線層的行為就 ... https://www.ptt.cc vol.159 - 國研院晶片中心
電路佈局規則範例及原理之探討. The Importance of Layout Design Rule Check and its Effects ... rule，如：density rule、antenna rule等等；又或是在佈局時必要的設計考量，但無法將此效應寫. 在design rule中，如電流密度(current density)等。 ... (一) 天線效應(antenna e... http://www.cic.org.tw 不重要的事件簿: Antenna Effect
在半導體製造過程當中，電漿蝕刻(Plasma Etching)時，若金屬層(導體層Metal/Polysilicon)累積了過多的電荷，將會導致了不正常路徑隨機放電，而永久損害了元件（MOS），也因為金屬層的行為就如同天線收集了電荷，因而稱為Antenna Effect。累積的電荷隨暴露的面積增加而越大。這種不良的效應會導致產品在製造 ... http://ibclu.blogspot.com 天線效應- Layout設計討論區- Chip123 科技應用創新平台- Powered by ...
这样做的原理简单是：在process的過程中，每一個連接工藝步驟后都會進行一次靜電荷的釋放，所以在metal上的靜電荷會被放掉，就杜絕了antenna effect的發生；; C# r! A/ i9 I' Q4 M0 q" o; I' | 方法二：也可以在連線上加一個對地反向偏執的diode，這樣在工藝製作過程中，就可以自動放電，並不是網上通常說的把這個 ...... http://www.chip123.com 天线效应_百度百科
在芯片生产过程中，暴露的金属线或者多晶硅(polysilicon)等导体，就象是一根根天线，会收集电荷（如等离子刻蚀产生的带电粒子）导致电位升高。天线越长，收集的电荷也就越多，电压就越高。若这片导体碰巧只接了MOS 的栅，那么高电压就可能把薄栅氧化层击穿，使电路失效，这种现象我们称之为“天线效应”。随着工艺技术的发展， ... https://baike.baidu.com 天线效应的原理及消除【转帖】 - 猪头的奋斗- 中国电子顶级开发网 ...
因此，天线效应（Process Antenna Effect，PAE），又称之为“等离子导致栅氧损伤（plasma induced gate oxide damage，PID）”。 天线效应的消除方法1） 跳线法。又分为“向上跳线”和“向下跳线”两种方式，如图2（b）所示。跳线即断开存在天线效应的金属层，通过通孔连接到其它层（向上跳线法接到天线层的上一层，向下 ... http://www.eetop.cn |