Kirk 效應 MOS
Different from the conventional low-voltage n-type MOS transistors V ... BJT的非理想效應： Base width modulation High level injection Kirk effect current. ,Diffused Drain MOSFET 或簡稱DDDMOS)與側邊雙擴散金氧半場效電晶. 體(Lateral ... 極功率電晶體中，微分負電阻的效應也有可能是源自於電晶體內部的Kirk.
| 相關軟體 Etcher 資訊 | |
|---|---|
 Kirk 效應 MOS 相關參考資料
HV的結構與原理–DDDMOS or LDMOS? - 每日頭條
2016年2月4日 — 我們知道MOS的擊穿電壓是在Drain加高電壓，其他三端接地，直到擊穿(@1uA)為止， ... 正是由於DDDMOS有kirk-effect的致命問題，所以它的應用非常窄，理論上限制 ... 但是它是在normal switch下並且考慮了self-heat效應的。 https://kknews.cc kirk effect mos - FHQKH
Different from the conventional low-voltage n-type MOS transistors V ... BJT的非理想效應： Base width modulation High level injection Kirk effect current. http://www.ovtpy.co 佈局參數對高壓金氧半場效電晶體電性影響之研究
Diffused Drain MOSFET 或簡稱DDDMOS)與側邊雙擴散金氧半場效電晶. 體(Lateral ... 極功率電晶體中，微分負電阻的效應也有可能是源自於電晶體內部的Kirk. https://ir.nctu.edu.tw 博碩士論文行動網
... Doping Concentration on Characteristic and Reliability of High Voltage MOS ... 效電晶體(MOSFET)元件之特性，包含了其基板電流的差異以及克爾克效應(Kirk ... https://ndltd.ncl.edu.tw 國立成功大學機構典藏
2009年11月12日 — 對於長通道之元件，此非預期中之結果可以由消除克爾克效應(Kirk effect) ... transistors and drain-extended MOS (DEMOS) transistors) fabricated ... http://ir.lib.ncku.edu.tw 复试名词解释_百度文库
（kirk 效应） ： 在大电流密度下通过集电结势垒区的电子密度会相应增大， 有效 ... MOS 体效应对阈值电压的影响：对NMOS 晶体管，一般存在负偏压， VBS <0。 https://wenku.baidu.com 成功大學電子學位論文服務
英文摘要, In this thesis, we discussed hot-carrier effects in n-MOSFET and ... 經過實驗發現，在低壓元件所沒有的克爾克效應(Kirk Effect)會在此種LDMOS電晶體 ... http://140.116.207.88 爾利效應- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
爾利效應（英語：Early effect），又譯厄爾利效應或譯歐萊效應，也稱基區寬度調 ... 由於MOSFET也有類似的雙極性，MOSFET中也會使用「爾利效應」這一術語 ... https://zh.wikipedia.org 輕摻雜區濃度對於高電壓金氧半電晶體特性與可靠度影響
... Doping Concentration on Characteristic and Reliability of High Voltage MOS ... 效電晶體(MOSFET)元件之特性，包含了其基板電流的差異以及克爾克效應(Kirk ... http://etds.lib.ncku.edu.tw 電源nLDMOS 元件源汲極工程探討研究A Study of Source ...
關鍵字：靜電放電、閂鎖效應、觸發電壓、保持電壓、. 臨界電壓、 ... [1][3]，其結構可用以預防Kirk effect 的產生並且 ... nLDMOS 的導通工作原理與一般MOSFET. http://ir.lib.ksu.edu.tw |