ADI AEI
Etching bias=AEI-ADI. 5. Profile. 6. Micro-loading effect : 對不同的pattern density有不同ER & profile. 7. Aspect ratio(AR) = h/d. 8. RIE lag: ER reduce when AR ... ,Photomask ADI, AEI, and QA measurements using normal incidence optical-CD metrology. Author(s): Ebru Apak; T. P. Sarathy; William A. McGahan; Pablo I.
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CN101430566A - 控制蚀刻偏差的方法- Google Patents
先获取ADI CD的测量值和AEI CD的测量值，然后获取对应的蚀刻偏差；a2.搜索数据库找到与该蚀刻偏差最匹配的曝光焦距；a3.将现有的曝光焦距设定为搜索到的最 ... https://www.google.com IC 製程簡介
Etching bias=AEI-ADI. 5. Profile. 6. Micro-loading effect : 對不同的pattern density有不同ER & profile. 7. Aspect ratio(AR) = h/d. 8. RIE lag: ER reduce when AR ... http://www.topchina.com.tw Photomask ADI, AEI, and QA measurements using normal ...
Photomask ADI, AEI, and QA measurements using normal incidence optical-CD metrology. Author(s): Ebru Apak; T. P. Sarathy; William A. McGahan; Pablo I. https://spie.org [心得] 半導體黃光製程工作內容分享-4 - 精華區Tech_Job - 批踢 ...
與etch開會時,一但AEI的結果不好,etch的大絕招就是AEI follow ADI, 所以是photo的問題.如果photo不懂etch的recipe,很可能就會被冠上AR (action ... https://www.ptt.cc 半導體中ADI CD是什麼的縮寫| Yahoo奇摩知識+
ADI用語是在於半導體微影製程中，A 代表AFTER ，D 代表DEVEROPER (加ed)，I 代表INSPECTION ，其實還有AEI，其中E代表ETCHER(ed)。 https://tw.answers.yahoo.com 博碩士論文行動網 - 全國博碩士論文資訊網
半導體製程中ADI/AEI檢驗工作主要是透過顯微鏡進行，在長時間的視覺檢驗作業中，檢驗員常覺得眼睛疲勞不適。本研究主要目的在評估ADI/AEI檢視作業視覺疲勞的 ... https://ndltd.ncl.edu.tw 國立交通大學機構典藏- 交通大學
一、AEI CD 變異受CD 大小與蝕刻機台穩定性影響。 二、蝕刻後CD 大小已固定，無法再做修正。 對半導體製程而言，ADI CD 的控制上，遠比AEI CD 重要，故本研究. https://ir.nctu.edu.tw 达裕科技股份有限公司产品展示-ADIAEI 显微镜检查系统
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ADI/AEI 顯微鏡檢查系統. Microscope System： a. Nikon b. Olympus c. Leica. d. Navitar. 達裕科技股份有限公司i-Bot Technology Inc. 台灣總公司：新竹縣竹北市成功 ... http://www.i-bot.com.tw 關於黃光及其100個疑問，這篇文章已全面解答- 每日頭條
答：After Develop Inspection，曝光和顯影完成之後，通過ADI機台對所產生的 ... AEI CD：蝕刻後特定圖形尺寸之大小,特徵尺寸（Critical Dimension）. https://kknews.cc |