電子濃度
掺杂（英语：doping）是半导体制造工艺中，为纯的本征半导体引入杂质，使之电气属性被改变的过程 ... 摻雜物濃度對於半導體最直接的影響在於其載流子濃度。在熱平衡的狀態下，一個未經摻雜的本征半導體，電子與空穴的濃度相等，如下列公式所示：. ,在本質半導體中，帶電荷的載子有兩種，就是自由電子與電洞。電洞數量等於自由電子數量。這是因為產生的過程中，電子與電洞同時產生的。所以電子濃度等於電洞 ...
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 電子濃度 相關參考資料
半導體物理簡介
代表純半導體中之導電電子及電洞的濃度，或稱固有濃度(intrinsic concentration). 沒有摻雜質的純半導體：固有半導體(intrinsic semiconductor)，. 摻有雜質的不純 ... http://ezphysics.nchu.edu.tw 掺杂(半导体) - 维基百科，自由的百科全书
掺杂（英语：doping）是半导体制造工艺中，为纯的本征半导体引入杂质，使之电气属性被改变的过程 ... 摻雜物濃度對於半導體最直接的影響在於其載流子濃度。在熱平衡的狀態下，一個未經摻雜的本征半導體，電子與空穴的濃度相等，如下列公式所示：. https://zh.wikipedia.org 本質半導體
在本質半導體中，帶電荷的載子有兩種，就是自由電子與電洞。電洞數量等於自由電子數量。這是因為產生的過程中，電子與電洞同時產生的。所以電子濃度等於電洞 ... http://pub.tust.edu.tw 本質半導體的載子濃度受到溫度
http://een.ctu.edu.tw 本質半導體的載子濃度推導| 悟理
在常見的Neaman 固態電子學教科書中，電子濃度（n≡N/V n ≡ N / V ）的推導是藉由自由電子氣體模型的能階密度所類比得到的。我希望能在這篇 ... https://www.ethanideas.url.tw 求高手-電子學電子濃度計算| Yahoo奇摩知識+
某純矽半導體在溫度T=300K下，假設本質載子濃度1.5x10的10次方單位cm -3次方 題目的兩 ... ni(本質載子濃度)的平方= n(電子濃度) x p(電洞濃度) https://tw.answers.yahoo.com 第1 章半導體材料與特性講義與作業Example 1.1：
二、外質(掺雜)半導體. 1. 本質半導體的電子電洞濃度相當小，僅可有微量電流。適當地加入控制量的某. 些雜質可大為提高。 2. 施體donor 雜質：施捨自由電子. http://eportfolio.lib.ksu.edu. 與摻雜濃度和遷移率有關
摻雜濃度越高，遷移率越低。 n > p. 因為電子有較小的有效質量. 3.1.2 Resistivity 電場對能帶圖的影響. 考慮一均勻半導體，加一固定偏壓，能帶圖會改變。 電子所 ... http://een.ctu.edu.tw 請問什麼是半導體本質濃度| Yahoo奇摩知識+
導電帶電子濃度=價電帶電洞濃度時所以ni=pi(電子濃度=電洞濃度) 所以通常以ni來把示電子或電洞的濃度 2007-10-14 19:46:29 補充： 所以通常 ... https://tw.answers.yahoo.com 電子學濃度參雜的基本問題| Yahoo奇摩知識+
記為ND也就是施體原子濃度 在半導體加3族元素 會被其他價代的電子給它一個電子 原子離子化成負離子 記為NA就是受體原子濃度 2009-04-02 ... https://tw.answers.yahoo.com |