半導體載流子密度
由於某些外部條件而使半導體內部的載子存在濃度梯度的時候，將產生擴散運動，即 ... 順向偏壓下，跨PN接面的電流強度取決於多數載子的密度，這一密度隨順向偏壓 ... 面兩端加入弱電場就會使中性粒子中的價電子脫離原子的束縛，從而成為載流子。 ,表示。 量子态密度与载流子动能的平方根成正比。公式是：. 在 [公式] 中，导带电子量子态 ...
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 半導體載流子密度 相關參考資料
Chapter01 電子學與半導體
半導體–導電度介於導體(如銅) 與絕緣體(如玻. ▫ 璃) 之間的材料 ... 摻雜– 刻意將雜質摻入一極純(本質)半導體內，以改變. 載體濃度. 13 ... 電荷載子之密度不均勻時會發生 ... 例題1.9: 擴散. ▫ 步驟1: 以x表示電流密. 度Jp. ▫ 步驟2: 當x = 0，計算電. 流密度. http://aries.dyu.edu.tw PN接面- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
由於某些外部條件而使半導體內部的載子存在濃度梯度的時候，將產生擴散運動，即 ... 順向偏壓下，跨PN接面的電流強度取決於多數載子的密度，這一密度隨順向偏壓 ... 面兩端加入弱電場就會使中性粒子中的價電子脫離原子的束縛，從而成為載流子。 https://zh.wikipedia.org 【半导体物理】半导体中的载流子浓度- 知乎
表示。 量子态密度与载流子动能的平方根成正比。公式是：. 在 [公式] 中，导带电子量子态 ... https://zhuanlan.zhihu.com 半導體物理簡介
半導體中的導電載子---電子與電洞 ... 為5.43Å，計算矽每立方公分所含之原子數及質量密度。 ... 其中再摻雜入比原來施子濃度高的受子，就可以形成p型半導體。 http://140.120.11.1 半導體簡介（pdf）
半導體中的導電載子---電子與電洞 ... 為5.43Å，計算矽每立方公分所含之原子數及質量密度。 ... 其中再摻雜入比原來施子濃度高的受子，就可以形成p型半導體。 http://ezphysics.nchu.edu.tw 半導體載流子 - 華人百科
價帶中有大量的價電子，由於這些價電子是被價鍵束縛住的，不能自由運動，所以不把它們看成為載流子。 如果n型半導體中摻入的施主濃度不太高，那么導帶中的電子 ... https://www.itsfun.com.tw 本征载流子浓度_百度百科
其次，半导体的状态密度函数是由三维无限深势阱中的电子模型推广出来的。这个理论函数可能与实验结果不十分吻合 。 本征载流子浓度温度 ... https://baike.baidu.com 漂移–擴散方程- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
漂移擴散方程和泊松方程一起可以用來計算半導體內的電勢分布和載流子濃度分布，該模型應用廣泛，屬於用半經典性模型。 公式[編輯]. n型半導體：: ... https://zh.wikipedia.org 載流子- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
在物理學中，載流子（charge carrier），或簡稱載子（carrier），指可以自由移動的帶有電荷的物質微粒，如電子和離子。在半導體物理學中，電子流失導致共價鍵上留下的 ... https://zh.wikipedia.org 载流子_百度百科
释词：电流载体，称载流子。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体物理学中，电子流失导致共价键上留下的空位（空穴 ... https://baike.baidu.com |