硝酸矽
Mix Acids Etch、HNO3–HF–HAC 混合液體水溶液. 危害物質成分之中英文名稱. 濃度範圍(成分百分比). 危害物質分類/圖示. 硝酸Nitric Acid. 15 ~ 60 %. 腐蝕性物質. ,SC-1(APM), 利用氨水之弱鹼性活化矽晶圓及微粒子表面，使晶圓表面與微粒子間 ... 矽層蝕刻 (Silicon Etching), 在目前製程上多使用硝酸（HNO3）、氫氟酸（HF）及 ...
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 硝酸矽 相關參考資料
Chapter 9 蝕刻
43. 溼式蝕刻:矽. ‧矽蝕刻通常用硝酸(HNO. 3. )和氫氟酸(HF)的. 混合液. ‧硝酸將矽氧化，接著氫氟酸將二氧化矽溶. 解. Si + 2HNO. 3. + 6HF → H. 2. SiF. 6. + 2HNO. 2. http://www.isu.edu.tw MAE ETCHANTS 多晶矽蝕刻液 - 台灣波律股份有限公司
Mix Acids Etch、HNO3–HF–HAC 混合液體水溶液. 危害物質成分之中英文名稱. 濃度範圍(成分百分比). 危害物質分類/圖示. 硝酸Nitric Acid. 15 ~ 60 %. 腐蝕性物質. http://www.taimax.com.tw RCA clean 製程 - 弘塑科技股份有限公司
SC-1(APM), 利用氨水之弱鹼性活化矽晶圓及微粒子表面，使晶圓表面與微粒子間 ... 矽層蝕刻 (Silicon Etching), 在目前製程上多使用硝酸（HNO3）、氫氟酸（HF）及 ... http://www.gptc.com.tw 一氧化矽- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
一氧化矽不太穩定，在空氣中會氧化成二氧化矽，僅在高於1200℃才穩定。一氧化矽能溶於氫氟酸和硝酸的混合酸，其中並放出四氟化矽。一般它可由二氧化矽在真空 ... https://zh.wikipedia.org 半導體製程及原理
半導體各種產品即依上述基本原理，就不同工業需求使用矽晶圓、光阻劑、顯影液、 ..... 最常使用的侵蝕液為硝酸(HNO3)及氫氟酸(HF)的水溶液或是醋酸(CH3COOH) ... http://www2.nsysu.edu.tw 多晶矽製絨技術的介紹 - 材料世界網
在太陽能市場中，矽晶太陽電池擁有超過九成的市占率，其中又有將近64%為 .... 陷和表面製絨，藉由控制氫氟酸與硝酸的. 濃度，可以控制蝕刻速率，其中硝酸的濃. https://www.materialsnet.com.t 氫氟酸，醋酸，硝酸的混合| Yahoo奇摩知識+
在半導體製程中，單晶矽與複晶矽的蝕刻通常利用硝酸與氫氟酸的混合液來進行。此反應是利用硝酸將矽表面氧化成二氧化矽，再利用氫氟酸將形成 ... https://tw.answers.yahoo.com 矽 - 教育部異體字字典
字號. A02824. 正字. 【矽】石-03-08. 音讀. ㄒ｜ˋ. 釋義. 着（silicon，Si)化學元素。原子序14。非金屬元素之一。 溶於鹼、硝酸與氫氟酸的混合液中，但不溶於水、硝酸及 ... http://dict2.variants.moe.edu. 硝酸- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
硝酸（分子式：HNO3）是一種強酸，其水溶液俗稱硝鏹水。純硝酸為無色液體，沸點83℃，在-42℃時凝結為無色晶體，與水混溶，有強氧化性和腐蝕性。其不同濃度 ... https://zh.wikipedia.org 硝酸釕(III) - 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
硝酸釕(III)是一種無機化合物，化學式為Ru(NO3)3。它可用於製備釕碳催化劑。硝酸釕負載在二氧化矽上之後，和一氧化碳反應，根據反應條件的不同，會 ... https://zh.wikipedia.org |