矽能隙
5-17半導體的發光效率. 詳細內容: 發佈於：2012-08-05, 週日23:16. 半導體的發光效率. 不同種類的半導體材料具有不同的發光效率，因此會有不同的應用，例如：矽的發光效率很低，只能用來製作積體電路(IC)；砷化鎵的發光效率很高，可以用來製作高亮度的發光二極體(LED)，為什麼同樣是半導體，同樣具有能隙，發光效率卻有那麼大 ... ,但是由於矽屬於間接能隙，其發光機率是1.79×10-15 cm3/s，比起直接能隙的GaAs 7.21×10-10 cm3/s，幾乎差了五個級數，所以為了讓矽發光，有許多方法被提出，包括矽鍺異質結構、多孔矽、鉺摻雜、超晶格、奈米晶體及金氧半接面發光等，但是到目前為止還是無法到達可以應用的發光效率。 雖然如此，矽鍺光電元件具有與矽積體化 ...
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 矽能隙 相關參考資料
1.矽半導體的材料能隙（Eg)及阻抗值是隨溫度上升而作何種變化？ (A)能 ...
矽半導體的材料能隙（Eg)及阻抗值是隨溫度上升而作何種變化？ (A)能隙變大，阻抗值變小 (B)能隙與阻抗值均變小 (C)能隙與阻抗值均變大 (D)能隙變小，阻抗值變大. 編輯私有筆記及自訂標籤. 台電◇電子學- 96 年- 96台電電子學#24550. 答案：B 難度：適中0.666667. 討論; 私人筆記( 0 ) ... https://yamol.tw 5-17半導體的發光效率 - 科技台灣
5-17半導體的發光效率. 詳細內容: 發佈於：2012-08-05, 週日23:16. 半導體的發光效率. 不同種類的半導體材料具有不同的發光效率，因此會有不同的應用，例如：矽的發光效率很低，只能用來製作積體電路(IC)；砷化鎵的發光效率很高，可以用來製作高亮度的發光二極體(LED)，為什麼同樣是半導體，同樣具有能隙，發光效率卻有那麼大 ... http://www.hightech.tw CTIMES- 矽基發光的可能性:
但是由於矽屬於間接能隙，其發光機率是1.79×10-15 cm3/s，比起直接能隙的GaAs 7.21×10-10 cm3/s，幾乎差了五個級數，所以為了讓矽發光，有許多方法被提出，包括矽鍺異質結構、多孔矽、鉺摻雜、超晶格、奈米晶體及金氧半接面發光等，但是到目前為止還是無法到達可以應用的發光效率。 雖然如此，矽鍺光電元件具有與矽積體化 ... https://www.ctimes.com.tw 半导体- 维基百科，自由的百科全书
一般常见的金属材料其导电带与价电带之间的能隙非常小，在室温下电子很容易获得能量而跳跃至导电带而导电，而绝缘材料则因为能隙很大（通常大于9电子伏特），电子很难跳跃至导电带，所以无法导电。 一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特，介于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发，或是改变其能隙之间距， ... https://zh.wikipedia.org 半導體〈Semiconductor〉(三) | 科學Online
依照晶型半導體掺入雜質的類型，會在能隙中引入非常接近傳導帶與價帶的能階。也就是說，施體雜質會在接近傳導帶處產生新的能階，受體雜質會在接近價帶處產生新的能階。能隙間接近能帶的這些能階，與能帶之間的能量差，通常被稱為束縛能或Eb¬，且相對於能隙是較小地。舉例來說，摻雜硼在矽中束縛能Eb ... http://highscope.ch.ntu.edu.tw 半導體物理
半導體物理-固態量子理論導論. 32. 什麼是半導體? ○ 半導體是能隙(energy gap)大於零但小於4 eV*的. 固體。如此的能隙可使半導體在室溫時具有適度的. 傳導性與載子*密度。 *1 eV = 1.6×10-19焦耳(joule) = 電子通過一伏特電壓差所獲得的能量. *載子：固體中帶有電荷，可擔任電流傳遞工作的粒子，如電子及電洞。 http://120.101.8.4 矽鍺的能隙與溫度的關係| Yahoo奇摩知識+
簡單解釋如下； 半導體有導電帶與價電帶(Conduction band/Valence band), 而導電帶的底端與價電帶的頂端的距離就是能隙 要能夠導電，則導電帶或價電帶要有空位讓載子能夠移動。 一般在室溫下，是有可能會讓電子由價電帶躍遷至導電帶，所以可量測得到電阻(照光也會使電阻變小，但光的能量(不是亮度)要選對) 您的問題，主要是 ... https://tw.answers.yahoo.com 第一章半導體概論1-1 第二章二極體2-1 第三章二極體 ... - 保成網路書局
離子鍵. 能帶結構. 間接能隙. 間接能隙. 直接能隙. 週期表中與半導體有關的元素：. 週期. 二價. 三價. 四價. 五價. 六價. 2. B 硼5. Boron. 3. Al 鋁13. Aluminum. Si 矽14. Silicon. P 磷15. Phosphorus. S 硫16. Sulfur. 4. Zn 鋅30. Znic. Ca 鎵31. Gallium. Ge 鍺32. G... https://www.eyebook.com.tw 能隙| 科學Online
能隙(Energy Gap) 國立臺灣大學物理學系洪豪謙. 能隙的概念是從能帶理論(Band theory) 中發展的，這是二十世紀初量子力學確立以後，所發展的一套理論，迄今運用這個理論最廣泛的領域是半導體元件。 我們知道單電子的氫原子模型中，因為量子效應，造成電子的能階是不連續的，從一個能階跳到另外一個能階的 ... http://highscope.ch.ntu.edu.tw 能隙只有30 meV的矽，是半導體還是金屬？ – CASE報科學
原子的排列方式會影響半導體能隙(bandgap)，能隙可以說是半導體最重要的性質，其大小決定材料吸收光子與發光的行為。例如，當光子能量大於能隙(光波長短於能隙)時，該光子就有可能被材料吸收。鑽石結構的矽能隙為1.12eV，換算成光波長大約為1107nm。可見光波長約在400-700nm，因此太陽光可以被矽吸收 ... https://case.ntu.edu.tw |