半導體能隙公式
半導體（英語：Semiconductor）是一種電導率在絕緣體至導體之間的物質。 ... 一般半導體材料的能隙約為1至3電子伏特，介於導體和絕緣體之間。 ... 代表，公式如下：. ,s. Page 7. 半導體概論-7. 中興物理孫允武. 兩有重合部分的軌域，若具有接近的能階，會重新做線性組合形. 成兩個新的軌域。能量低的稱為鍵(bonding orbital)，能量高的 ...
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 半導體能隙公式 相關參考資料
半導體簡介（pdf）
s. Page 7. 半導體概論-7. 中興物理孫允武. 兩有重合部分的軌域，若具有接近的能階，會重新做線性組合形. 成兩個新的軌域。能量低的稱為鍵(bonding orbital)，能量高的 ... http://ezphysics.nchu.edu.tw 半導體- Wikiwand
半導體（英語：Semiconductor）是一種電導率在絕緣體至導體之間的物質。 ... 一般半導體材料的能隙約為1至3電子伏特，介於導體和絕緣體之間。 ... 代表，公式如下：. https://www.wikiwand.com 半導體物理簡介
s. Page 7. 半導體概論-7. 中興物理孫允武. 兩有重合部分的軌域，若具有接近的能階，會重新做線性組合形. 成兩個新的軌域。能量低的稱為鍵(bonding orbital)，能量高的 ... http://140.120.11.1 能帶理論- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
半導體的能隙在兩者之間，電子較容易躍遷至傳導帶中。 能帶理論（英語：Energy band theory）是用量子力學的方法研究固體內部電子運動的理論。 https://zh.wikipedia.org 能隙- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
能隙（band gap或energy gap）也譯作能帶隙（energy band gap）、禁帶寬度（width of forbidden band），在固態物理學中泛指半導體或絕緣體的價帶頂端至傳導帶底 ... https://zh.wikipedia.org 半導體(Semiconductor)(一) | 科學Online
矽是半導體在商業用途上主要元素，到目前為止已有無數半導體材料廣泛被使用。 概觀 半導體與絕緣體很相似，兩者主要的區別在於能隙的大小(電子 ... https://highscope.ch.ntu.edu.t 半導體〈Semiconductor〉(三) | 科學Online
舉例來說，摻雜硼在矽中束縛能Eb為0.045eV(電子伏特)，相對於矽的能隙1.12eV是較小的。因為Eb較小，所以只需些許能量，便可使雜質原子離子化且 ... https://highscope.ch.ntu.edu.t 半導體（Semiconductor） | 科學Online
若摻雜濃度更多還可以變成是重摻雜。 3. 依照載子躍遷(carrier transition)可以分成：直接能隙(direct bandgap)與間接能隙(indirect bandgap)， ... https://highscope.ch.ntu.edu.t 半導體能帶與能隙| 科學Online
半導體(Semiconductor) 能帶與能隙 高雄市立高雄女子高級中學物理科蔡宗賢老師/國立彰化師範大學洪連輝教授責任編輯. 能帶結構與能隙. https://highscope.ch.ntu.edu.t 能隙| 科學Online
能隙的概念是從能帶理論(Band theory) 中發展的，這是二十世紀初量子力學確立以後，所 ... 能隙相當大(> 4eV)，因此很難傳導電；半導體的能隙則介於導體與絕緣體之間，像是矽的能隙約為1.12eV。 ... 經過數學推導後得到以下公式：. https://highscope.ch.ntu.edu.t |