氧 電漿 蝕刻
將含有含氟氣體及含氧及氫之氣體的蝕刻氣體供給至蝕刻腔室。電漿係由蝕刻氣體產生而利用電漿將特徵部蝕刻至矽層。接著中止蝕刻氣體。電漿可包含OH基。 ,C. R. Yang, NTNU MT. -2-. 濕式蝕刻法. 乾式蝕刻法. 溼式與乾式蝕刻. 電漿 ... 二氧. 化矽. >10. 190. 470. 620. 180. *. >10. >10. 220. 13SF6/21He. 氮化矽. 30. 73. 31.
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Plasma
電漿. 射頻功率. 暗區. 或. 鞘層. 電極. 至真空幫浦. 陰極. Photo Courtesy: UT Dallas ... 電漿蝕刻. ▫ CF. 4. 氣體在電漿中分解,產生氟自由基以進. 行氧蝕刻製程. http://homepage.ntu.edu.tw TWI506691B - 利用電漿增強氧化進行鈍化之矽蝕刻- Google ...
將含有含氟氣體及含氧及氫之氣體的蝕刻氣體供給至蝕刻腔室。電漿係由蝕刻氣體產生而利用電漿將特徵部蝕刻至矽層。接著中止蝕刻氣體。電漿可包含OH基。 https://patents.google.com 乾蝕刻技術 - NTNU MNOEMS Lab. 國立台灣師範大學機電科技 ...
C. R. Yang, NTNU MT. -2-. 濕式蝕刻法. 乾式蝕刻法. 溼式與乾式蝕刻. 電漿 ... 二氧. 化矽. >10. 190. 470. 620. 180. *. >10. >10. 220. 13SF6/21He. 氮化矽. 30. 73. 31. http://mems.mt.ntnu.edu.tw 半導體製程技術 - 聯合大學
足夠的離子轟擊可幫忙清除. ▫ 數量恰當的化學蝕刻亦可踢除. ▫ 氧電漿灰化製程(Oxygen plasma ashing): 去除有機殘餘物. ▫ 濕式化學清潔步驟:去除無機殘餘物 ... http://web.nuu.edu.tw 國立交通大學機構典藏
由 林世凱 著作 · 2010 — 研究電漿蝕刻技術製作奈米級光阻線. Utilization of plasma etching technique for studing the fabrication of nanometer scale based photoresist lines. 研究生: 林世凱. https://ir.nctu.edu.tw 圓腔式氧電漿機(Oxygen Plasma) – 生醫工程與奈米醫學 ...
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蝕刻製程會移除晶圓表面的特定區域,以沉積其它材料。 「乾式」(電漿) 蝕刻是用於電路清晰度步驟,而「濕式」蝕刻(使用化學浴) 主要用於清潔晶圓。 乾式蝕刻是 ... https://www.appliedmaterials.c |