乾氧化 濕氧化 比較
乾氧化. • 水蒸氣來源. – 氣泡式. – 沖洗式. • H. 2. + O. 2. → H. 2. O. 氯來源減低在閘極氧化中的移動離子. • 氯來源， ... 濕氧化. • Si + 2H. 2. O. SiO. 2. + 2H. 2. • 在高溫下H. 2. O 分離成H and H-O. • HO 在SiO ... 是高溫爐的15 °C/min 比較. 減少熱積存 ... ,Si 基片. 摻雜離子. 屏蔽氧化層. 乾氧化(薄): 閘極氧化層、屏蔽氧化層 ... 氧化物蝕刻. 元件區. 濕氧化(厚): 場氧化層、阻擋層. 擴散阻擋層、離子植入屏蔽氧化層…等. 10.
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Si 基片. 摻雜離子. 屏蔽氧化層. 乾氧化(薄): 閘極氧化層、屏蔽氧化層 ... 氧化物蝕刻. 元件區. 濕氧化(厚): 場氧化層、阻擋層. 擴散阻擋層、離子植入屏蔽氧化層…等. 10. http://homepage.ntu.edu.tw Chapter 5 加熱製程 - 義守大學
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