tin電阻率
並探討氮化鈦兩種不同顆粒. 分布對基材間的導電性關係，而添加至. 30vol%TiN 時，氮化矽基陶瓷複合材料的. 電阻率(resistivity)降至0.5-1×10-1Ω.cm，具. 有導電性 ... ,材料卻擁有金屬級的導電能力(電阻率為30-70 μΩ·cm)，常被製於耐火材料、. 合金、陶瓷及金屬半導體。 圖2-3 TiN 的晶體結構(大圓為Ti，小圓為N)。 圖2-4 TiN 的 ...
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 tin電阻率 相關參考資料
Airiti Library華藝線上圖書館_氮化鈦薄膜之光電特性與其在氮化 ...
Characteristics of TiN thin film and theirs contact on n-type GaN ... 氮氣環境下900℃ 熱處理60 秒後，氮化鈦(TiN)薄膜有較低的電阻率為1.25E-2(ohm-cm)，其載子 ... https://www.airitilibrary.com 具導電性之氮化鈦 - 國立成功大學機構典藏
並探討氮化鈦兩種不同顆粒. 分布對基材間的導電性關係，而添加至. 30vol%TiN 時，氮化矽基陶瓷複合材料的. 電阻率(resistivity)降至0.5-1×10-1Ω.cm，具. 有導電性 ... http://repository.ncku.edu.tw 國立交通大學機構典藏
材料卻擁有金屬級的導電能力(電阻率為30-70 μΩ·cm)，常被製於耐火材料、. 合金、陶瓷及金屬半導體。 圖2-3 TiN 的晶體結構(大圓為Ti，小圓為N)。 圖2-4 TiN 的 ... https://ir.nctu.edu.tw 國立交通大學機構典藏：改善氮化鈦阻障層與鎢插塞之化學氣相 ...
In this thesis, we discussed the influence of chemical vapor deposition (CVD) conditions of TiN and W thin film on the reduction in the electrical resistivity of the ... https://ir.nctu.edu.tw 多元材料製程與性質
降低電阻電容延遲效應主要有兩個改善方法：(1) 使用低電阻率 (Resistivity) 金屬導線 ... 在擴散阻障層材料發展上，早期多使用單一過渡金屬氮化物，如TaN、TiN、 ... http://web.nchu.edu.tw 氮化鈦- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
氮化鈦，化學式TiN，是一種合成陶瓷材料，極堅硬，其硬度接近於金剛石。通常用 ... 熱膨脹係數：9.35×10-6K-1; 超導轉變溫：5.6 k; 磁化率：+38×10-6 emu/mol. https://zh.wikipedia.org 行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告
GPa，符合文獻報導特徵之TiN 薄膜。另可得薄膜為金黃色，. 亦具岩鹽型結晶，氧含量約7~10 at%，電阻率為115~238 μΩ- cm，硬度值為21~24 GPa，符合ZrN ... http://www.etop.org.tw 金屬化製程
Ti/TiN. 金屬1, Al•Cu. 2. BPSG. W. N型井區. P型井區. STI n+ n+. USG p+ p+ ... 較高的電阻率: 8.0 ~ 12 μΩ⋅cm 比PVD 鋁 ... 厚度的薄膜電阻率,或計算出薄膜厚度. http://140.117.153.69 鈦氮化物薄膜之微結構與特性研究
關鍵詞：鈦；氮化鈦；氮化物；電阻率；耐腐蝕性。 Abstract. The good properties of binary transition metal nitride films such as titanium nitride(TiN) have ... https://www.anticorr.org.tw |