sj mosfet
SJ-MOSFET只有900V左右的產品，SiC則1700V以上的耐壓也能以低導通電阻推出產品。 由於不須採用如IGBT般的雙極元件構造(導通電阻變低但開關慢)，是能夠 ... ,羅姆的高壓（600V～）功率MOSFET產品採用了超接合面(Super Junction)技術。該技術實現了高速開關和低導通電阻，可以減少應用損耗。羅姆有低雜訊和高速 ...
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