sicl4蝕刻
物性蝕刻. 利用下電極所產生的自偏壓. (self bias)會吸引電漿中之正離子轟 ..... SiCl4. Over Etch. Oxide. (c). 第三個問題在於如何蝕刻得更. 好，也就是使得蝕刻均勻性 ... ,首先在製程方陎，我們設計一套製程方式，透過電感耦合電漿蝕刻機蝕 ...... Fabrication)，蝕刻GaAs之氣體為SiCl4以及Ar，詳細蝕刻過程將在下一張節作介. 紹。
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Etching
表面物質去除化的製程: 化學蝕刻、物理蝕刻、複合蝕刻. ▫. 選擇性蝕刻或整面全區蝕刻. ▫. 選擇性蝕刻將IC光阻上的設計圖形轉移至晶圓表面層. ▫ .... Cl + Si → SiCl4. http://homepage.ntu.edu.tw Untitled
物性蝕刻. 利用下電極所產生的自偏壓. (self bias)會吸引電漿中之正離子轟 ..... SiCl4. Over Etch. Oxide. (c). 第三個問題在於如何蝕刻得更. 好，也就是使得蝕刻均勻性 ... http://www.pida.org.tw 以乾式蝕刻鏡面製作砷化銦量子點之邊射型雷射
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