n well中文
變所摻雜區域的type. • 通常使用RTP來完成. Si. Si. Si. Si. P. N-type. <111>. <100> ... retrograde well, buried layer. → MOS電性調整 well. Field oxide substrate gate. ,hi~他的意思是說你的pmos沒有達到latch up的rule，上面有說明你的pmos到bulk GR要小於20um，所以你每40um就要一個n+GR。
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"n-well diode" 中文翻譯 - 查查綫上辭典
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變所摻雜區域的type. • 通常使用RTP來完成. Si. Si. Si. Si. P. N-type. <111>. <100> ... retrograde well, buried layer. → MOS電性調整 well. Field oxide substrate gate. http://www.topchina.com.tw layout N-well 超過解決方法? - Layout設計討論區- Chip123 ...
hi~他的意思是說你的pmos沒有達到latch up的rule，上面有說明你的pmos到bulk GR要小於20um，所以你每40um就要一個n+GR。 http://chip123.com n well cmos process 中文 - 查查綫上辭典
n well cmos process中文n 阱互補金屬氧化物半導體工藝…，點擊查查權威綫上辭典詳細解釋n well cmos process的中文翻譯，n well cmos process的發音，音標， ... https://tw.ichacha.net n well中文_n well是什么意思_翻译_音标_发音_例句_用法
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n-well diode的中文意思：阱二极管…，查阅n-well diode的详细中文翻译、发音、用法和例句等。 http://www.ichacha.net N阱CMOS N-well CMOS - 科技名词 - 911查询
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p-well cmos process是指在n-type晶圓上製作p-well（p型井）以形成製作cmos的條件。 https://tw.answers.yahoo.com 使用Above-IC (AIC) 技術來降低基底雜訊耦合效應
計畫中文摘要… ... 電感所製作的VCO 的基底雜訊耦合效應做互相比對。 (A) 利用Deep N-well (DNW)及Patterned Ground Shield (PGS)技術電感之VCO 與標準製程. http://www.etop.org.tw |