mos punch through
先簡單回顧下MOS的重要參數開啟電壓，也叫閾值電壓，英文 ... 4) 防止穿通(Anti-Punch Through):底部濃度高，前面PN結理論說過那個耗盡區寬度 ...,2. 對短通道的元件，當汲極的電壓太大時(以NMOS為例)，在汲極附. 近的空乏區會到達源極，電流忽然增加。稱為“punch-through”。 3. 當閘極對源極電壓太大（約50V) ...
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 mos punch through 相關參考資料
Advanced MOSFET issues
跳到 Punch through - Punch through in a MOSFET is an extreme case of channel length modulation where the depletion layers around the drain and ... https://ecee.colorado.edu CMOS器件進階版講解- 每日頭條
先簡單回顧下MOS的重要參數開啟電壓，也叫閾值電壓，英文 ... 4) 防止穿通(Anti-Punch Through):底部濃度高，前面PN結理論說過那個耗盡區寬度 ... https://kknews.cc MOSFET的2nd order effect
2. 對短通道的元件，當汲極的電壓太大時(以NMOS為例)，在汲極附. 近的空乏區會到達源極，電流忽然增加。稱為“punch-through”。 3. 當閘極對源極電壓太大（約50V) ... http://ezphysics.nchu.edu.tw Punch-Through in MOSFET Transistors? - ResearchGate
The punch through mechanism is described as reverse bias applied to drain, which results into extended depletion region. The two depletion regions of drain ... https://translate.google.com.t The Field-Effect Transistor (FET) - 張大中教授
In the MOSFET, the current is controlled by an electric field applied ..... Punch-through: when the drain voltage is large enough for the depletion region around. http://cdcpc.ce.ncu.edu.tw 半导体中的隧道效应- 维基百科，自由的百科全书
半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunneling effect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的 ... 穿隧效應對MOSFET的影響包括：穿隧過絕緣氧化層，或穿隧過通道。 ... 電荷穿隧過絕緣氧化層，稱為「打穿」（punch through），會導致閘極的破壞。 https://zh.wikipedia.org 四、場效電晶體原理1. 電晶體簡介2. MOSFET的操作原理(定性 ...
1964年諾貝爾物理獎： “ for fundamental work in the field of quantum electronics, which has led .... 當VDS很小時，MOSFET就如同一個由閘極電壓控制的可變電阻。當VGS≤Vt. 時，源極和汲極 ...... 稱為“punch-through”。 3. 當閘極對源極電壓太大（ ... http://140.120.11.1 搞清楚MOS管的幾種「擊穿」？ - 每日頭條
MOSFET的擊穿有哪幾種? ... 抑制耗盡區寬度延展，所以flow裡面有個防穿通注入(APT: Anti Punch Through)，記住它要打和well同type的specis。 https://kknews.cc |