mos寄生電容公式

電容包括接線電容、閘極電容、擴散層電容(接到輸出端的汲極區域)及其他寄生電容 ... 雖然MOS在不同工作模式,不同偏壓下,整個電容效應值就會有差異;然而閘極 ... ,當VDS很小時,MOSFET就如同一個由閘極電壓控制的可變電...

mos寄生電容公式

電容包括接線電容、閘極電容、擴散層電容(接到輸出端的汲極區域)及其他寄生電容 ... 雖然MOS在不同工作模式,不同偏壓下,整個電容效應值就會有差異;然而閘極 ... ,當VDS很小時,MOSFET就如同一個由閘極電壓控制的可變電阻。當VGS≤Vt. 時,源極和 ... MOS結構的電容Cox:因為用MOS結構在半導體與氧化層間之介面. 吸引導電載體。 ... 當寄生的npn和pnp BJT被啟動時,會產生latch-up現象。通常是可逆. 的。

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當VDS很小時,MOSFET就如同一個由閘極電壓控制的可變電阻。當VGS≤Vt. 時,源極和 ... MOS結構的電容Cox:因為用MOS結構在半導體與氧化層間之介面. 吸引導電載體。 ... 當寄生的npn和pnp BJT被啟動時,會產生latch-up現象。通常是可逆. 的。

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