locos最小製程節點
常用於半導體製程之耐高溫金屬，可改善金屬化製程(尤其是Ti, ...... 矽LOCOS場氧化層之橫切面 ... 均一性晶圓上溫度梯度小大，由於長形的熱影響小裝／卸載之微粒最小微粒相當差從 ...... 測試範圍：在最低成本條件下完成內部元件節點之高測試範圍。 ,该OTP制程结合了力旺电子的绿能OTP解决方案和宏力半导体自身的0.18微米技术节点，在使用较少光罩层数的同时，创造了业内OTP最小单元尺寸(cell size)的记录。 ... 制程采用了STI (浅槽隔离)代替LOCOS (局部场氧化)，并按照0.18微米后端制程 ...
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常用於半導體製程之耐高溫金屬，可改善金屬化製程(尤其是Ti, ...... 矽LOCOS場氧化層之橫切面 ... 均一性晶圓上溫度梯度小大，由於長形的熱影響小裝／卸載之微粒最小微粒相當差從 ...... 測試範圍：在最低成本條件下完成內部元件節點之高測試範圍。 https://www.scribd.com 应用于微控制器的低成本高效率OTP制程成功量产 - 集微网
该OTP制程结合了力旺电子的绿能OTP解决方案和宏力半导体自身的0.18微米技术节点，在使用较少光罩层数的同时，创造了业内OTP最小单元尺寸(cell size)的记录。 ... 制程采用了STI (浅槽隔离)代替LOCOS (局部场氧化)，并按照0.18微米后端制程 ... https://laoyaoba.com DRAM: 材料与制程创新的领域 - 新原國際有限公司
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