i line
I-line. 365. 0.35 to. 0.25. XeF. 351. XeCl. 308. 準分子雷. 射. KrF. (DUV). 248. 0.25 to. 0.15. ArF. 193. 0.18 to. 0.13. 氟雷射. F2. 157. 0.13 to. 0.1. 波長與光源種類. ,什麼是G-line及I-line????是一種能量嗎?? 麻煩幫忙解釋一下吧.......先謝謝大家.
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 i line 相關參考資料
360°科技－i-Line - DigiTimes
2007年9月13日 — i-Line技術是將電路圖案轉印到矽晶圓的光源，其光波波長為365奈米，設備業主多利用i-Line轉印小於250奈米的電路結構(1奈米等於百萬分之一 ... http://www.digitimes.com.tw Lithography
I-line. 365. 0.35 to. 0.25. XeF. 351. XeCl. 308. 準分子雷. 射. KrF. (DUV). 248. 0.25 to. 0.15. ArF. 193. 0.18 to. 0.13. 氟雷射. F2. 157. 0.13 to. 0.1. 波長與光源種類. http://homepage.ntu.edu.tw 什麼是G-line及I-line???? | Yahoo奇摩知識+
什麼是G-line及I-line????是一種能量嗎?? 麻煩幫忙解釋一下吧.......先謝謝大家. https://tw.answers.yahoo.com 光罩的防塵薄膜 - 國家奈米元件實驗室
種類，包含: G-line(436nm 曝光波長)，I-line(365nm 曝. 光波長)，KrF (248nm 曝光波長) 及ArF(193nm 曝光波. 長)，薄膜的材質可以為: 硝化纖維素(Nitrocellulose) ... http://140.110.219.65 光罩的防塵薄膜-Pellicle簡介
種類，包含: G-line(436nm 曝光波長)，I-line(365nm 曝. 光波長)，KrF (248nm 曝光波長) 及ArF(193nm 曝光波. 長)，薄膜的材質可以為: 硝化纖維素(Nitrocellulose) ... http://www.ndl.org.tw 半導體用光阻劑之發展概況
2020年8月26日 — 和紫外線搭配的為g-line(436nm)和i-line(365nm)光阻劑，和深紫外線(DUV)搭配的為KrF(248nm)與ArF(193nm)光阻劑，超紫外線(EUV)光阻劑為 ... https://www.moea.gov.tw 曝光原理與曝光機
Power/Ground層; 信號層Signal layer. 線路Conductor; 焊墊Pad. 線寬/線距(L/S) Line Width / Line Space. 6/6 = 150/150 m; 5/5 = 125/125 m; 4/4 = 100/100 ... https://www.me.cycu.edu.tw 非常精密且昂貴的照相機-晶圓步進曝光系統
的g-line 紫外光及365nm 波段的i-line 紫外光以製作微. 米及次微米等級線路; 進展到利用KrF 氣體雷射( 波長. 248nm) 製作深次微米線路。製程發展到目前的ArF 氣體. http://www.ndl.org.tw |