freeze out半導體
系所班別:工學院碩士在職專班組別:半導體材料與製程設備組第1 頁,. 共1 頁. 【可使用計算機】*作答前請先核對試题、 ... 解釋右圖中3個regions(Freeze-out, Extrinsic. ,導電率易受溫度、照光、磁場及微量雜質的影響，所以半導體在電子應用上很重要。. 10-18～10-8S/cm. 104～106S/cm ... 的半導體都變成跟本質半導體一樣。 Freeze-out.
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103年特種考試地方政府公務人員考試三等_半導體工程線上測驗
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系所班別:工學院碩士在職專班組別:半導體材料與製程設備組第1 頁,. 共1 頁. 【可使用計算機】*作答前請先核對試题、 ... 解釋右圖中3個regions(Freeze-out, Extrinsic. http://coe.nctu.edu.tw SEMICONDUCTOR PHYSICS & DEVICES
導電率易受溫度、照光、磁場及微量雜質的影響，所以半導體在電子應用上很重要。. 10-18～10-8S/cm. 104～106S/cm ... 的半導體都變成跟本質半導體一樣。 Freeze-out. http://w3.uch.edu.tw 半导体物理第三章3_百度文库
2012年6月10日 — 20 -3 三、载流子的冻析效应(Freeze-out) 以上讨论表明， 在适当的低温范围， 施主或受主杂质并未完全电离， 尚有部分载流子被“冻结” 在杂质能级上对 ... https://wenku.baidu.com 半導體
在T=0 K時，施體能態上的電子. 沒有一個會被熱能提升至傳導帶. 上，此稱為凍結(freeze-out)。 價電帶亦同。 Page 191. 191. 在相同的區域 ... http://120.118.228.134 半導體元件物理正修科技大學電機工程系王志明
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或（ND-NA）>>ni時： n ≈ (ND-NA) p =ni2/ (ND-NA) ni >>│ND-NA│時： n ≈ p ≈ ni2. 即在很高的溫度下，所有的半導體都變成跟本質半導體一樣。 Freeze-out region https://www.scribd.com 國立中山大學物理研究所碩士論文δ-doped InxGa1-xAsInAlAs ...
由 羅奕凱 著作 — 成的半導體，如︰砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、砷磷化鎵（GaAsP）、. 磷銦化鎵（InGaP）。 ... 的濃度所掌控，在這種情形下半導體被稱為在凍結態(freeze out)。 http://etd.lib.nsysu.edu.tw 第二章热平衡时的能带及载子浓度3_百度文库
2010年9月28日 — 2.6 本質(Intrinsic)半導體的載子(carrier)濃度Thermal equilibrium：無外界激發，如 ... Freeze-out region 2.7.2 Degenerate (簡併）semiconductors ... https://wenku.baidu.com 退化態半導體- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
依循包利不相容原理(Pauli's exclusion principle). 非退化態半導體(Non degenerate semiconductors):. 輕摻雜; 較少的的電子或電洞濃度; 違反 ... https://zh.wikipedia.org |