fn穿隧
利用熱載子穿隧機制以. 及福勒-諾德漢穿隧(Fowler-Nordheim tunneling, FN-tunneling)機制來作為記憶體寫. 入及抹除的操作，並且研究元件辨識窗口(Memory ... ,2020年9月6日 — 在低電場下，F-P 穿隧會先發生，F-N 穿隧則否；在高電場下，F-N 穿隧才有機會發生，F-P 穿隧依舊會發生，但被不同深度陷阱所捕捉的電荷會隨 ...
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 fn穿隧 相關參考資料
1序論Introduction
(Floating Device)就是利用F-N 穿隧(F-N tunneling)使源極(Drain)的電子穿過穿隧氧化層. (tunneling oxide)到達浮動閘極(Floating gate)，接著關閉電壓，電子就會 ... https://ir.nctu.edu.tw 52+ 國立中山大學電機工程研究所碩士論文新式L 型通道之金氧 ...
利用熱載子穿隧機制以. 及福勒-諾德漢穿隧(Fowler-Nordheim tunneling, FN-tunneling)機制來作為記憶體寫. 入及抹除的操作，並且研究元件辨識窗口(Memory ... https://etd.lis.nsysu.edu.tw FP&FN穿隧效應之機制@ 才翊汽車電子:: 痞客邦::
2020年9月6日 — 在低電場下，F-P 穿隧會先發生，F-N 穿隧則否；在高電場下，F-N 穿隧才有機會發生，F-P 穿隧依舊會發生，但被不同深度陷阱所捕捉的電荷會隨 ... https://klimpanspil.pixnet.net 中華大學碩士論文
F-N穿隧就是Fowler-Nordheim Tunneling的縮寫，由Fowler和Nordheim 兩人共同. 研究的，因此用他們名字的字首來為這種傳導機制命名。當閘極氧化層厚度變薄， ... http://chur.chu.edu.tw 半导体中的隧道效应- 维基百科，自由的百科全书
半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunneling effect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的一個例子。這種現象在半導體元件的尺度不斷縮小後愈加明顯。 https://zh.wikipedia.org 國家圖書館期刊文獻資訊網
... model），這將不同於一般N型快閃記憶體常使用的F-N穿隧寫入與通道熱載子模型。因此在熱載子注入效率的研究上，我們將針對寫入過程中臨限電壓相對於時間 ... http://readopac3.ncl.edu.tw 國立交通大學機構典藏- 交通大學
由通道熱電子注入(channel hot electron injection)或是F-N 穿隧(Fowler-Nordheim tunneling). 機制將電荷注入到懸浮閘中，當不同數量的電荷儲存在電子捕抓層 ... https://ir.nctu.edu.tw 第一章緒論 - 交通大學
圖1.6 SONOS 結構的F-N 穿隧現象能帶示意圖。 Page 10. 10. 圖1.7 奈米尺度的世界。 Page 11. 11. • 奈米生物晶片. • 奈米太陽能電池. https://ir.nctu.edu.tw |