dit量測
在使用電晶體的簡單邏輯電路中最小開關延遲時間的量測，由於會影. 響電晶體的反應 ... 個鍵結即Interface trapped (Dit)以及氧化層中被H打斷鍵結的Si+，即為. ,3.2 製程與物性量測儀器簡介. ... 量測到的電容值和漏電流來了解此薄膜的熱穩定性和結晶溫度的變化。 ... measurement 來量測Dit，所得到的值大約為6.7×1012 cm.
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Chapter 2
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在使用電晶體的簡單邏輯電路中最小開關延遲時間的量測，由於會影. 響電晶體的反應 ... 個鍵結即Interface trapped (Dit)以及氧化層中被H打斷鍵結的Si+，即為. http://140.117.153.69 劉傳璽博士阮弼群博士 - 國立臺灣師範大學
3.2 製程與物性量測儀器簡介. ... 量測到的電容值和漏電流來了解此薄膜的熱穩定性和結晶溫度的變化。 ... measurement 來量測Dit，所得到的值大約為6.7×1012 cm. http://rportal.lib.ntnu.edu.tw 半導體電容電壓量測系統| 光電與積體電路故障分析中心
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