c4f8蝕刻
它持續重複等向性蝕刻和沉積保護膜的循環：SF6電漿蝕刻，C4F8電漿生成保護膜。博世製程可提供高度各向非等向性蝕刻。 Bosch Process. ,本文主要研究底層抗反射介電覆膜，蝕刻程式參數變化對接觸層線寬的調整能力。其內容在研究不同的C4F8氣體流量、製程時間與製程壓力條件下。對接觸層線寬 ...
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二、半導體化學品/特殊氣體：我司供應半導體先進製程於濕蝕刻與乾蝕刻製程用 ... 高純溶劑及乾蝕刻製程用特殊氣體如NF3，SF6，C4F8，CF4，HF等製程氣體。 http://www.gredmann.com 博世製程| 莎姆克
它持續重複等向性蝕刻和沉積保護膜的循環：SF6電漿蝕刻，C4F8電漿生成保護膜。博世製程可提供高度各向非等向性蝕刻。 Bosch Process. https://www.samco.co.jp 博碩士論文行動網 - 全國博碩士論文資訊網
本文主要研究底層抗反射介電覆膜，蝕刻程式參數變化對接觸層線寬的調整能力。其內容在研究不同的C4F8氣體流量、製程時間與製程壓力條件下。對接觸層線寬 ... https://ndltd.ncl.edu.tw 感應耦合式電漿蝕刻系統
之設備，搭配C4F8、SF6氣體與低溫載盤來建置Bosch Deep Si Etching 方式的深蝕刻. 矽基材參數。 ❖ 全名: 感應耦合式電漿蝕刻系統(ICP Etcher). ❖ 位置: class ... http://www.ndl.org.tw 感應耦合電漿反應性離子蝕刻於石英玻璃加工的技術 ... - 儀科中心
本研究主要探討石英玻璃之蝕刻特性，使用感應耦合電漿離子蝕刻(inductively coupled plasma-reactive ion etching, ICP-RIE) 系統，以八氟環丁烷(C4F8) 與氦 ... https://www.tiri.narl.org.tw 感應耦合電漿離子蝕刻技術應用於3D IC 玻璃穿孔 ... - 儀科中心
應耦合電漿離子蝕刻(inductively coupled plasma-reactive ion etching, ICP-RIE) 系統，以八氟環丁烷(C4F8). 與氦氣(He) 混和氣體作為反應氣體，對石英玻璃進行 ... https://www.tiri.narl.org.tw 第一章緒論
蝕刻(Etch)和薄膜(Thin-film)四大模組，四個模組的製程特性與使用. 的製程原料與機台各 ... 氧化層蝕刻(Oxide Etch)，使用Gas：CHF3，CF4，C4F8，C2F6，. O2. http://ebooks.lib.ntu.edu.tw 第二章文獻回顧與理論探討 - 國立臺灣師範大學
專利【25】，並改變不同的側壁鈍化方法來進行矽深蝕刻。圖2-6 為ASE 蝕刻機. 制示意圖，以C4F8/SF6 反應氣體為例說明如下：○1 首先在矽壁沈積鈍化高分子：. http://rportal.lib.ntnu.edu.tw 行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 - 國立交通大學 ...
分，在非等向性蝕刻的部分，詳細探討ICP-RIE 各項參數對. 蝕刻的 ... 氣體：為蝕刻與保護機制電漿離子的來源，在矽蝕刻中目前以SF6/C4F8 為主要蝕刻. 與保護 ... https://ir.nctu.edu.tw |