Icp Wafer
Wafer Surface Scan ICP-MS. Wafer Surface Scan IC. Wafer Thermal Desorption GC-MS ... 方法：晶圓全表面ICP- MS分析. □ 膜種：氧化膜. □ 方法：膜溶解ICP- MS ... ,量產型設備; 晶圓載盤直徑330mm; 最多可處理3枚6英吋晶圓; 晶圓裝卸腔體可容納5個晶圓載盤; 使用靜電吸盤和氦氣冷卻方式.
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Wafer Surface Scan ICP-MS. Wafer Surface Scan IC. Wafer Thermal Desorption GC-MS ... 方法：晶圓全表面ICP- MS分析. □ 膜種：氧化膜. □ 方法：膜溶解ICP- MS ... https://www.scastaiwan.com.tw ICP蝕刻設備｜莎姆克
量產型設備; 晶圓載盤直徑330mm; 最多可處理3枚6英吋晶圓; 晶圓裝卸腔體可容納5個晶圓載盤; 使用靜電吸盤和氦氣冷卻方式. https://www.samco.co.jp 作者簡介
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native oxide or the thermal oxide layer of the silicon wafer surface. ○ Inductively Coupled Plasma Mass. Spectrometry (ICP-MS) is then used. https://www.agilent.com |