Dram 測試 良 率 方法
本发明一种提高DRAM后端测试良率的方法，包括：首先，在DRAM芯片内部设置若干时钟振荡器；时钟振荡器用于查看芯片的工艺角是处于偏快还是偏慢；这些时钟振荡器模块的 ... ,本发明一种提高DRAM后端测试良率的方法，包括：首先，在DRAM芯片内部设置若干时钟振荡器；时钟振荡器用于查看芯片的工艺角是处于偏快还是偏慢；这些时钟振荡器模块的 ...
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30奈米DRAM儲存節點連接之良率改善
由 施朝富 著作 · 2016 — 積體電路（integrated circuit, IC）的製造，從設計、晶圓製程、封裝到測試等， ... 經由長期實驗觀察後，使用上述四種方式良率皆能有所改善，其中疊對誤差與臨界尺寸 ... https://ir.nctu.edu.tw CN105719699A - 一种提高dram后端测试良率的方法
本发明一种提高DRAM后端测试良率的方法，包括：首先，在DRAM芯片内部设置若干时钟振荡器；时钟振荡器用于查看芯片的工艺角是处于偏快还是偏慢；这些时钟振荡器模块的 ... https://patents.google.com CN105719699A - 一种提高dram后端测试良率的方法 - Google
本发明一种提高DRAM后端测试良率的方法，包括：首先，在DRAM芯片内部设置若干时钟振荡器；时钟振荡器用于查看芯片的工艺角是处于偏快还是偏慢；这些时钟振荡器模块的 ... https://www.google.com CN105719699B - 一种提高dram后端测试良率的方法
本发明一种提高DRAM后端测试良率的方法，包括：首先，在DRAM芯片内部设置若干时钟振荡器；时钟振荡器用于查看芯片的工艺角是处于偏快还是偏慢；这些时钟振荡器模块的 ... https://patents.google.com 中
氫退火製程不能完全改善漏電流,經由測試可知應為氫原子並未充. 分修補砂-氧化矽界面,故本論文提出以兩次氯退火製程方法作. DRAM良率提昇之研究,希望以二次氫退火製程的 ... http://chur.chu.edu.tw 使用自修復技術提高SoC記憶體良率 - 電子工程專輯.
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論文名稱:國內記憶體IC 測試業的現況及測試流程之改善. ****. 1正在上:P-14 ... 1.5 研究方法. ... 良率、建立有效的資料以提供工程分析使用的重要步驟。不同種. http://chur.chu.edu.tw 工業工程與管理學系碩士論文 - 國立交通大學機構典藏
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2010年9月12日 — 這樣的情況下，如何來提昇製造過程中的良率呢？一般有兩種方法來改善。一為設計備援用的記憶體細胞，並用雷射方式來修補(Redundancy & Laser Repair) ... http://ictesting-tom.blogspot. |