電晶體飽和區
雙載子接面電晶體(bipolar junction transistor，BJT)依結構區分，有npn型及pnp型兩 ... npn電晶體工作在飽和區時，則基射極和基集極之電壓為順向偏壓或反向偏壓？ , 反向作用區：VBE反向偏壓，VBC順向偏壓。 作用區內的電晶體特性，可將電晶體當成放大器。 截止區內的電晶體像是一個切斷(OFF)的開關。 飽和區 ...
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 電晶體飽和區 相關參考資料
BJT偏壓電路
k假設偏壓在作用區，則. l. * 若 ，合理，表示偏壓在作用區。此電壓 及電流 即為所求之答案。 * 若 ，矛盾，表示應偏壓在飽和區。 (3)飽和區的分析. j. k. l. * 當電晶體偏壓 ... http://pub.tust.edu.tw BJT基本觀念
雙載子接面電晶體(bipolar junction transistor，BJT)依結構區分，有npn型及pnp型兩 ... npn電晶體工作在飽和區時，則基射極和基集極之電壓為順向偏壓或反向偏壓？ http://pub.tust.edu.tw BJT電晶體開關應用筆記@ MU HAN的部落:: 痞客邦::
反向作用區：VBE反向偏壓，VBC順向偏壓。 作用區內的電晶體特性，可將電晶體當成放大器。 截止區內的電晶體像是一個切斷(OFF)的開關。 飽和區 ... https://a1239537.pixnet.net 雙極性電晶體- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
跳到 工作區 - 截止區：如果雙極性電晶體兩個PN接面的偏壓情況與飽和區恰好相反，那麼電晶體將處於截止區。在這種工作模式下，輸出電流非常小（小功率的矽電晶體 ... https://zh.wikipedia.org 電晶體VE、VC、VB、之間電壓大小整理
一、比較VE、VC、VB必須先確定條件，所謂條件有二：○電晶體規格、○電晶體工作 ... 集極接合面(C-B)之偏壓. 主動區(active). 線性區. 順向. 逆向. 飽和區(Saturated). http://mail.slvs.tc.edu.tw 電晶體的三個工作區| ElectronicsLab - 東海大學
1）飽和區（saturation region）. Latex formula 及 Latex formula 均為順偏。當電晶體給足夠大的 Latex formula 時，已無法再增加 Latex formula ... http://physcourse.thu.edu.tw 電晶體的三種工作模式- 藝能饗宴 - Google Sites
此時IC = βIB，電晶體工作於線性放大區，IC受控於IB，BJT可當成一訊號放大器。 三、飽和模式（Saturation）：VBE 及VBC均為順偏。連續提升IB值令 ... https://sites.google.com 電晶體的認識與使用
PNP. 偏壓接線圖. 在飽和區（saturation region）電晶體可視為短路（VCE = 0.2 V），在截. 止區（cutoff region）電晶體可以視為開路（VCE = VCC），這兩區域的動作. http://sites.ccvs.kh.edu.tw 電晶體的飽和狀態和飽和壓降- 每日頭條
我對此問題的理解是：當電晶體處於放大狀態時，基極得到從外電源注入的電子流，部分會與基區中的空穴複合，此時產生的複合電流，構成了基極電流 ... https://kknews.cc |