間接能隙
qm 間接能隙(Indirect bandgap) 發光效率低，電子由導電帶落回價電帶時，會先在這個位置上停留一下，將大部分的能量轉換為「熱能」以後，再落回 ...,體材料的能隙又分成會發光與不發光的兩. 種，又稱為直接能隙（direct band gap）與. 間接能隙（indirect band gap）。 簡單地說，電子獲得足夠的能量. 跑到傳導帶上， ...
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 間接能隙 相關參考資料
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Si、Ge、以及少部分的三五族化合物，屬於間接能隙半. 導體，電子從導帶返回價帶與電洞復合，其能量與動量. 的轉移過程不僅僅是光子的釋出，而且 ... http://scistore.colife.org.tw qm 間接能隙(Indirect bandgap) 發光效率低，電子 ... - phymath999
qm 間接能隙(Indirect bandgap) 發光效率低，電子由導電帶落回價電帶時，會先在這個位置上停留一下，將大部分的能量轉換為「熱能」以後，再落回 ... http://phymath999.blogspot.com 半導體發光原理 - 國立臺灣科學教育館
體材料的能隙又分成會發光與不發光的兩. 種，又稱為直接能隙（direct band gap）與. 間接能隙（indirect band gap）。 簡單地說，電子獲得足夠的能量. 跑到傳導帶上， ... https://www.ntsec.gov.tw 半導體（Semiconductor） | 科學Online
而間接能隙因為載子躍遷尚須遵守動量守恆，因此不適合作為發光元件或吸光元件。 當一個P型半導體與N型半導體組合在一起，就可以形成二極 ... http://highscope.ch.ntu.edu.tw 大學物理相關內容討論:半導體的直接能隙與間接能隙 - 國立臺灣師範大學 ...
Q0能階本身就是不連續的是動量相同的能階間轉換才為直接能隙麼? Q1: 如何得知材料性質為直接或間接能隙呢? Q2: 為何動量要能對應到才有利 ... http://www.phy.ntnu.edu.tw 發光二極體
一般二極體主要材料以矽為主，但因為材料矽屬於間接能隙(indirect bandgap)材料，，由於電子經傳導帶往價電帶進行復合時，須加上聲子為維持動量守恆定律，故在 ... http://vision.taivs.tp.edu.tw 直接帶隙半導體- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
如果半導體材料中導帶和價帶中的電子和空穴的動能相同的話，則該半導體可以稱之為直接帶隙半導體。其導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中同一位置， ... https://zh.wikipedia.org 能隙| 科學Online
能隙的概念是從能帶理論(Band theory) 中發展的，這是二十世紀初量子 ... 圖四(b) 屬於間接能隙(Indirect energy gap)，這個狀況下的電子若要以 ... http://highscope.ch.ntu.edu.tw 請問一下何謂直接能隙材料} | Yahoo奇摩知識+
直接能隙材料，其直接能隙的彎曲係數b = 1.379 eV，而間接能隙的b = 1.672 eV。AlxGa1-xN在Al濃度小於0.571時為直接能隙材料，而Al濃度 ... https://tw.answers.yahoo.com |