長晶方法

柴可拉斯基長晶法(Czochralski growth)就是利用這種原理,在液態的矽坩堝讓它有 .... 液相磊晶成長是從液相中直接利用沉積法,在晶質基板上成長磊晶層,這種方法 ... , 泛指將材料使用化學或物理方法移除的意思,...

長晶方法

柴可拉斯基長晶法(Czochralski growth)就是利用這種原理,在液態的矽坩堝讓它有 .... 液相磊晶成長是從液相中直接利用沉積法,在晶質基板上成長磊晶層,這種方法 ... , 泛指將材料使用化學或物理方法移除的意思,以化學方法進行者稱之為濕式 ... 矽晶圓材料長晶法又分為CZ(Czochralski)柴氏長晶法與FZ(float ...

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長晶方法 相關參考資料
Chapter 4 晶圓製造

敘述CZ法和FZ法. •解釋矽磊晶層沉積的目的. •敘述磊晶矽沉積的製程 ... 13. <100> 晶向平面的晶格結構. 原子. 基本晶胞 ... 兩種方法的比較. •CZ 法較普遍. –便宜.

http://www.isu.edu.tw

光電材料製程

柴可拉斯基長晶法(Czochralski growth)就是利用這種原理,在液態的矽坩堝讓它有 .... 液相磊晶成長是從液相中直接利用沉積法,在晶質基板上成長磊晶層,這種方法 ...

http://vision.taivs.tp.edu.tw

半導體的晶圓....怎麼養的....??? - Yahoo奇摩知識+

泛指將材料使用化學或物理方法移除的意思,以化學方法進行者稱之為濕式 ... 矽晶圓材料長晶法又分為CZ(Czochralski)柴氏長晶法與FZ(float ...

https://tw.answers.yahoo.com

國立交通大學機構典藏

置對Cz 長晶法之矽熔湯流場和溫度場的影響,同時也探討固液界面形狀 ..... 長晶法被稱為CZ(Czochralski)法[3],但嚴格講起來,這方法應該被.

https://ir.nctu.edu.tw

晶圓- 维基百科,自由的百科全书

晶圆(英语:Wafer)是指制作矽(硅)半导体集成电路所用的矽(硅)晶片,由于其形状为圆形,故称为晶 ... 晶種,然後將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶矽(硅)晶棒,由於矽(硅)晶棒是由一顆小晶粒在融熔態的矽(硅)原料中逐漸生成,此過程稱為「長晶」。

https://zh.wikipedia.org

晶圓的製作

單晶矽晶棒(ingot)的. 製作. • CZ 法(Czochralski 法,柴式. 法(. 法柴式. 長晶法) ... 方法. • 外質吸除(extrinsic gettering, EG):. – 於表面生成一層多晶矽. – 於晶圓背面 ...

http://web.cjcu.edu.tw

柴可拉斯基法- Wikiwand

這個方法得名于波蘭科學家揚·柴可拉斯基,他在1916年研究金屬的結晶速率時,發明了這種方法。後來,演變為鋼鐵工廠的標準製程之一。 直拉法最重要的應用是晶 ...

http://www.wikiwand.com

柴可拉斯基法- 維基百科,自由的百科全書 - Wikipedia

直拉法最重要的應用是晶錠、晶棒、單晶矽的生長。其他的半導體,例如砷化鎵,也可以利用直拉法進行生長,也有一些其他方法(如布里奇曼-史托巴格法)可以獲得更低 ...

https://zh.wikipedia.org

長晶爐 - 磊拓科技股份有限公司

CGS(Crystal Growing Systems, CGS)原本是萊寶(Leybold Heraeus)集團中的晶體生長部門而後獨立成為一家公司,又被併入PVA TePla集團中,專門提供各式的 ...

http://www.latentek.com.tw