輕摻雜汲極
而在實際的應用上，多晶矽薄膜電晶體通常會使用輕摻雜汲極結構。在本論文中，我們將分別針對多晶矽薄膜電晶體的載子遷移率，以及輕摻雜汲極區域所造成的寄生電阻效應，做相關的實驗分析與研究，尤其著重於遷移率與寄生電阻的溫度效應。首先，我們提出一個遷移率模型，此模型是以熱電子發射效應以及聲子散射效應交互作用 ... ,多晶矽薄膜電晶體在面板技術的應用上，由於具有高遷移率，有機會整合面板周邊電路，實現系統面板（System on Panel）的目標。在實際的應用上，多晶矽薄膜電晶體通常會使用輕摻雜汲極結構抑制漏電流。然而該結構在元件導通時，會有通道延伸的效應發生而影響元件特性。在本論文中，我們將分別針對多種影響通道延伸效應的因素 ...
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 輕摻雜汲極 相關參考資料
具輕摻雜汲極結構之複晶矽薄膜電晶體之通道延伸效應研究__臺灣博 ...
多晶矽薄膜電晶體在面板技術的應用上，由於具有高遷移率，有機會整合面板周邊電路，實現系統面板（System on Panel）的目標。在實際的應用上，多晶矽薄膜電晶體通常會使用輕摻雜汲極結構抑制漏電流。然而該結構在元件導通時，會有通道延伸的效應發生而影響元件特性。在本論文中，我們將分別針對多種影響通道延伸效應的因素 ... https://ndltd.ncl.edu.tw 具輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體之溫度效應研究__臺灣博碩士 ...
而在實際的應用上，多晶矽薄膜電晶體通常會使用輕摻雜汲極結構。在本論文中，我們將分別針對多晶矽薄膜電晶體的載子遷移率，以及輕摻雜汲極區域所造成的寄生電阻效應，做相關的實驗分析與研究，尤其著重於遷移率與寄生電阻的溫度效應。首先，我們提出一個遷移率模型，此模型是以熱電子發射效應以及聲子散射效應交互作用 ... https://ndltd.ncl.edu.tw 具輕摻雜汲極結構之複晶矽薄膜電晶體之通道延伸效應研究 顏志宇
多晶矽薄膜電晶體在面板技術的應用上，由於具有高遷移率，有機會整合面板周邊電路，實現系統面板（System on Panel）的目標。在實際的應用上，多晶矽薄膜電晶體通常會使用輕摻雜汲極結構抑制漏電流。然而該結構在元件導通時，會有通道延伸的效應發生而影響元件特性。在本論文中，我們將分別針對多種影響通道延伸效應的因素 ... https://ir.nctu.edu.tw 國立交通大學機構典藏：非對稱輕摻雜汲極金氧化半導體電晶體微波電性 ...
在這論文中報告0.18 微米非對稱輕摻雜汲極功率金氧化半導體電晶體特性的設計，這類型元件不具備n型汲極伸展區，使用台積電代工一層多晶矽六層金屬標準製程，而不會需要改變任何製程參數，在相同的閘極寬度下比傳統金氧化半導體電晶體有較佳的特性。該元件具有直流崩潰電壓6.9 V，功率密度0.54 W/mm，最大振盪頻率115 ... https://ir.nctu.edu.tw 新型閘極覆蓋輕摻雜汲極複晶矽薄膜電晶體之製作與研究研究生：王中良 ...
本論文中，我們成功製作了一個具有閘極覆蓋輕摻雜汲極的複晶矽薄膜電晶. 體。我們提出了新穎的簡易製作方式，不需要額外的光罩、也不需要任何活性離. 子非等向性蝕刻技術，同時輕摻雜汲極的長度可以利用控制濕式蝕刻的時間輕易. 從100nm 變化到600nm。比起傳統的閘極覆蓋輕摻雜汲極結構，我們的方法可以. 避免間隙壁製作 ... https://ir.nctu.edu.tw 具有輕掺雜汲極之複晶矽薄膜電晶體電性模型建立 高士欽
然而，在這樣的技術發展中，準確的元件模型是SPICE tool中最重要的基礎，在本論文中，我們特別針對具有輕摻雜汲極(Lightly-Doped Drain, LDD)結構之N型低溫複晶矽薄膜電晶體建立DC電性模型。 首先，我們研究輕摻雜汲極寄生電阻的萃取方法。利用變化不同的通道長度和不同的輕摻雜汲極長度，可以萃取出不同的寄生電阻。 https://ir.nctu.edu.tw 國立交通大學機構典藏：具輕摻雜汲極結構之複晶矽薄膜電晶體之通道 ...
多晶矽薄膜電晶體在面板技術的應用上，由於具有高遷移率，有機會整合面板周邊電路，實現系統面板（System on Panel）的目標。在實際的應用上，多晶矽薄膜電晶體通常會使用輕摻雜汲極結構抑制漏電流。然而該結構在元件導通時，會有通道延伸的效應發生而影響元件特性。在本論文中，我們將分別針對多種影響通道延伸效應的因素 ... https://ir.nctu.edu.tw 何謂Lightly Doped Drain (LDD)?? | Yahoo奇摩知識+
因此在GATE兩端接面間的載子很容易就會受到這樣的大電場而被加速,形成所謂的熱載子(Hot-Carrier),而造成導通;為了避免大量的熱載子產生,便將GATE兩旁S/D緊鄰GATE的地方做極輕度的摻雜,以降低接面載子數量,進而降低熱載子效應. 很抱歉,我也找不到比較多資料的網站, 先給您一個網站做參考, 可能多多少少 ... https://tw.answers.yahoo.com 元件物理基礎The scale of things Crystal Structure Crystal
位於閘極兩旁的源極與汲極，同樣都是以矽為主的半導體. 層，不過其極性與底材矽相反，因此必須選擇性地對此兩區. 域進行摻雜（Doping)，通常使用離子植入法(Ion Implantation). 或熱擴散法（Thermal Diffusion). MOSFET. •. 隔離製程(Isolation Process). – 在積體電路，為了使電晶體與電晶體間的操作不至於受到對方的干擾，必須. http://jupiter.math.nctu.edu.t |