載子濃度定義

半導體內部摻雜雜質的濃度,除了直接影響到材料的載子濃度,也影響了許多其與電有關的性質。在未掺雜的情況下,半導體內部電子和電洞的濃度 ...,半導體中的導電載子---電子與電洞. 帶溝與半導體的 ... 與擴散電流. 多出載子的傳...

載子濃度定義

半導體內部摻雜雜質的濃度,除了直接影響到材料的載子濃度,也影響了許多其與電有關的性質。在未掺雜的情況下,半導體內部電子和電洞的濃度 ...,半導體中的導電載子---電子與電洞. 帶溝與半導體的 ... 與擴散電流. 多出載子的傳導行為 ..... 一半導體矽晶圓,其中均勻摻雜砷,濃度為1016 cm-3,試計算出:. (a)摻雜 ...

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載子濃度定義 相關參考資料
The Hall Effect

同理,如果實驗的結果如圖(b)所示,載子電荷就是正電荷。 就圖(b)而論,如果是負 ... 型式. 晶圓截面積. 電流密度. 霍爾電壓. V(Volt). 電場強度. 磁場. 強度. 載子濃度. p ...

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半導體〈Semiconductor〉(三) | 科學Online

半導體內部摻雜雜質的濃度,除了直接影響到材料的載子濃度,也影響了許多其與電有關的性質。在未掺雜的情況下,半導體內部電子和電洞的濃度 ...

http://highscope.ch.ntu.edu.tw

半導體簡介(pdf)

半導體中的導電載子---電子與電洞. 帶溝與半導體的 ... 與擴散電流. 多出載子的傳導行為 ..... 一半導體矽晶圓,其中均勻摻雜砷,濃度為1016 cm-3,試計算出:. (a)摻雜 ...

http://ezphysics.nchu.edu.tw

擴散電流- 維基百科,自由的百科全書 - Wikipedia

擴散電流在半導體中因載子(電洞或自由電子)擴散作用引起的電流。 半導體中的 ... 這是因為擴散作用是由載子濃度的變化,而不是載子濃度本身所引起的。載子(電洞 ...

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本質半導體

在本質半導體中,帶電荷的載子有兩種,就是自由電子與電洞。電洞數量等於自由電子數量。這是因為產生的過程中,電子與電洞同時產生的。所以電子濃度等於電洞 ...

http://pub.tust.edu.tw

本質半導體的載子濃度受到溫度

基礎半導體物理. Energy Bands and Carrier Concentration in Thermal Equilibriumn. 熱平衡時的能帶及載子濃度. 2.1 SEMICONDUCTOR MATERIALS; 2.2 BASIC ...

http://een.ctu.edu.tw

求高手-電子學電子濃度計算| Yahoo奇摩知識+

問題來了我們現在知道ni(本質載子濃度) 那n(電子濃度) 跟p(電洞濃度) 要怎求呢? 那就繼續往下看題目 若將半導體參雜(鎵原子)濃度1.5x10的15次 ...

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第1 章半導體材料與特性講義與作業Example 1.1:

本質載子濃度. 其中, B 為常數,與特定之半導體材導有關. Eg 與溫度之關係不重 k 為Boltzmann 常數=86×10-6 eV/°K. Example 1.1:. T=300 °K 求矽之本質載子濃度.

http://eportfolio.lib.ksu.edu.

與摻雜濃度和遷移率有關

電場及濃度梯度影響下之帶電載子的運動 ... 載子飄移(carrier drift); 載子擴散(carrier diffusion); 產生與復合過程generation and ... 定義 為電子的遷移率 n(mobility).

http://een.ctu.edu.tw

載流子- 維基百科,自由的百科全書 - Wikipedia

在物理學中,載流子(charge carrier),或簡稱載子(carrier),指可以自由移動的帶有電荷的物質微粒,如電子和離子。在半導體物理學中,電子流失導致共價鍵上留下的 ...

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