能帶間隙
出處/學術領域, 中文詞彙, 英文詞彙. 學術名詞 計量學名詞, 能帶間隙, band gap. 學術名詞 計量學名詞, 能帶間隙, bandgap. 學術名詞 材料科學名詞, 能帶間隙, energy ... ,晶體能帶的基本概念(band model). ○ 在固體中 ... 因此，能階必須分裂成能帶，以使每個電子均能佔據. 在不同的 ... 半導體是能隙(energy gap)大於零但小於4 eV*的.
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 能帶間隙 相關參考資料
band gap energy - 能帶間隙 - 國家教育研究院雙語詞彙
出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 材料科學名詞, band gap energy, 能帶隙能量. 學術名詞 電子計算機名詞, band gap energy, 頻帶隙能量. 學術名詞 http://terms.naer.edu.tw energy band-gap - 能帶間隙 - 國家教育研究院雙語詞彙
出處/學術領域, 中文詞彙, 英文詞彙. 學術名詞 計量學名詞, 能帶間隙, band gap. 學術名詞 計量學名詞, 能帶間隙, bandgap. 學術名詞 材料科學名詞, 能帶間隙, energy ... http://terms.naer.edu.tw 半導體物理
晶體能帶的基本概念(band model). ○ 在固體中 ... 因此，能階必須分裂成能帶，以使每個電子均能佔據. 在不同的 ... 半導體是能隙(energy gap)大於零但小於4 eV*的. http://120.101.8.4 寬能隙半導體的發展近況 - DigiTimes
2019年7月11日 — GaN(氮化鎵)與SiC（碳化矽）這兩種寬能隙（wide band gap）半導體在大陸被稱之為第三代半導體，這是相對於第一代Si、第二代化合物半導體 ... https://www.digitimes.com.tw 直接帶隙和間接帶隙- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
直接帶隙（英語：Direct band gaps）是指半導體材料的導帶底的極小值和價帶頂的極大值在k空間內對應同一個k值的能帶結構，具有這種結構的半導體稱為直接 ... https://zh.wikipedia.org 能带隙_百度百科
能带隙定义. 编辑. 能带理论是研究固体中电子运动规律的一种近似理论。固体由原子组成，原子又包括原子实和最外层电子，它们均处于不断的运动状态。为使问题 ... https://baike.baidu.com 能帶理論- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
半導體的能隙在兩者之間，電子較容易躍遷至傳導帶中。 能帶理論（英語：Energy band theory）是用量子力學的方法研究固體內部電子運動的理論。 https://zh.wikipedia.org 能帶結構- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
一般半導體材料的能隙約為1至3電子伏特，介於導體和絕緣體之間。因此只要給予適當條件的能量激發，或是改變其能隙之間距，此材料就能導電。 主條目：直接帶 ... https://zh.wikipedia.org 能隙- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
帶隙（band gap）、帶溝，或稱能隙（energy gap）、能帶隙（energy band gap）、禁帶寬度（width of forbidden band），在固態物理學中泛指半導體或絕緣體 ... https://zh.wikipedia.org 能隙| 科學Online
2016年11月11日 — 能隙(Energy Gap) 國立臺灣大學物理學系洪豪謙. 能隙的概念是從能帶理論(Band theory) 中發展的，這是二十世紀初量子力學確立以後，所發展的 ... https://highscope.ch.ntu.edu.t |